电子技术基础 课件 1.3 半导体二极管.pptx

正极负极符号1.3半导体二极管1.3.1半导体二极管的结构和类型半导体二极管就是一个封装的PN结+PN_正极负极++++____1.半导体二极管的结构

1.3半导体二极管

1.3半导体二极管

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2.半导体二极管的类型(a)按使用的半导体材料不同分为(b)按结构形式不同分为硅管锗管点接触型平面型1.3半导体二极管

半导体二极管的结构、符号和外型(a)点接触型(b)平面型(c)符号(d)外型1.3半导体二极管

1.3.2半导体二极管的伏安特性硅管00.8反向特性正向特性击穿特性00.8反向特性锗管正向特性uDiD1.3半导体二极管

a.电压uD、电流iD之间关系为b.有死区（iD≈0的区域)1.正向特性死区电压约为硅管0.5V锗管0.1VOiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD1.3半导体二极管

c.导通后（即uD大于死区电压）管压降uD约为硅管0.6~0.8V锗管0.2~0.3V通常近似取uD硅管0.7V锗管0.2V即uD略有升高，iD急剧增大1.3半导体二极管OiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD

2.反向特性IS=硅管小于0.1微安锗管几十到几百微安a.当时，1.3半导体二极管OiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD

b.当时反向电流急剧增大击穿的类型:根据击穿可逆性分为电击穿热击穿二极管发生反向击穿1.3半导体二极管OiD正向特性击穿电压死区电压U(BR)反向特性uD

降低反向电压，二极管仍能正常工作PN结被烧坏，造成二极管永久性的损坏二极管发生反向击穿后，如果a.功耗PD(=|UDID|)不大b.PN结的温度小于允许的最高结温硅管150∽200oC锗管75∽100oC热击穿:电击穿:1.3半导体二极管

1.3.3温度对半导体二极管特性的影响(2)当温度上升时，正向管压降降低△uD/△T=–（2~2.5）mV/°C(3)温度升高，反向饱和电流增大即温度每升高1°C，管压降降低（2~2.5）mV即平均温度每升高10°C，反向饱和电流增大一倍(1)当温度上升时，死区电压降低1.3半导体二极管

1.3.4半导体二极管的主要电参数1.额定整流电流IF2.反向击穿电压U(BR)管子长期运行所允许通过的电流平均值二极管能承受的最高反向电压1.3半导体二极管3.最高允许反向工作电压UR为了确保管子安全工作，所允许的最高反向电压UR=（1/2~2/3）U(BR)

4.反向电流IR室温下加上规定的反向电压时测得的电流1.3半导体二极管5.正向电压降UF6.最高工作频率fM指通过一定的直流测试电流时的管压降fM与结电容有关，当工作频率超过fM时，二极管的单向导电性变坏

1.3.5二极管常用的电路模型b.电路符号a.伏安特性1.理想模型–+uDiDuDiDO理想特性实际特性1.3半导体二极管

b.电路模型a.伏安特性2.恒压模型uDiDOUon–+uDiDUon1.3半导体二极管

1.3半导体二极管【例1】某硅二极管电路如图（a）、（b）所示。试分析两个电路中的二极管是否导通？若二极管导通，试分别用合适的二极管模型计算电压UAB的值。（a）（b）

1.3半导体二极管【解】（1）对于图（a）电路将二极管先假定开路二极管两端的开路电压：UD=V1-V2=7V大于硅管的死区电压（约0.5V）回路等效电源电压（7V）远大于二极管的管压降（硅管约0.7V）二极管导通采用二极管理想模型来分析电路

1.3半导体二极管（a）二极管理想模型电路A、B两点之间的电压：UAB≈V1=8V

1.3半导体二极管（2）对于图（b）电路二极管两端的开路电压：UD=V1-V2=2V大于硅管的死区电压回路等效电源电压（2V）大约是硅二极管管压降，采用二极管理想模型会出现较大的分析误差二极管导通采用二极管恒压模型来分析电路

1.3半导体二极管二极管理想模型电路A、B两点之间的电压：UAB=V1-Uon=3-0.7=2.3V（b）