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摘要
1.06μm波长半导体激光器具备体积小、重量轻、可靠性好、光电转化效率高等
优点,因此广泛应用于激光雷达、激光引信、激光测距、光电对抗、激光致盲和目标
识别等。高功率输出是半导体激光器被广泛应用的首要条件。通常高功率边发射半导
体激光器两端面分别镀高反膜和增透膜,以提高斜率效率。另一方面,为了降低芯片
和热沉之间的热阻,高功率边发射半导体激光器往往采用较长的腔长,这缓解了有源
区的温度上升。然而实际器件中上述设计会加重载流子密度沿腔长方向的不均匀分布,
这种现象称之为纵向空间烧孔(L
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