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氮化镓一维纳米材料及纳米薄膜：制备工艺与光学性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）凭借其独特的物理性质和卓越的性能，已然成为了第三代半导体材料中的杰出代表，在半导体领域占据着举足轻重的地位。自氮化镓材料被发现以来，科研人员对其进行了广泛而深入的研究，随着研究的不断深入，氮化镓材料的诸多优异特性逐渐被揭示出来，其应用领域也在不断拓展。

氮化镓具有宽禁带宽度，其数值达到3.4电子伏特（eV），这一特性使得氮化镓在高电压、高功率以及高温环境下的应用中展现出巨大的优势。例如，在电力电子领域，基于氮化镓的功率器件能够承受更高的电压，具备更低的导通