驱动集成对GaN基HEMT半桥模块开关特性的影响与优化研究.docx

驱动集成对GaN基HEMT半桥模块开关特性的影响与优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，功率电子技术作为现代电力系统、工业自动化、新能源汽车、消费电子等众多领域的核心支撑技术，其重要性不言而喻。随着这些领域对电源系统的性能要求不断攀升，如更高的效率、功率密度、可靠性以及更低的成本，传统的硅基功率器件由于其自身材料特性的限制，逐渐难以满足日益增长的需求。在这样的背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料凭借其独特的物理性质，成为了功率电子领域的研究热点和发展方向。

GaN材料具有高电子迁移率、高饱和电流密度、高热稳定性和耐辐照性等一系列优异特性。基于G