微电子器件（4-6）MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及频率特性 .pptx

4.6MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性;;以VGS作为参变量的gm~VDS特性曲线;;实际上，IDsat随着VDS的增加而略微增大，使(gds)sat略大于0。降低(gds)sat的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施是一致的。;;4.6.2MOSFET的小信号高频等效电路;上图中各元件的值与工作点有关。模拟电路中的MOSFET一般工作在饱和区，饱和区中各元件可由下式表示;为了反映IDsat随VDS增加而略有增大的实际情况，rds应为有限值。于是可得饱和区的等效电路;为了提高fgm，从器件制造角度，主要应缩短沟道长度L，其次是应提高载流子迁移率?，所以N沟道MOSFET的性能比P沟道MOSFET好；从器件使用角度，则应提高栅源电压VGS。;4、寄生参数;RS为源体电阻与源电极接触电阻之和，它在共源极接法中起负反馈作用，使跨导gm降低，;RD为漏体电阻与漏电极接触电阻之和，RS与RD的存在会使VDsat增大，使gds减小，;;4.6.3最高工作频率和最高振荡频率;输入电流;输出电流;;;提高最高工作频率fT的措施：

缩短沟道长度L，提高载流子迁移率?，提高栅源电压VGS。这些都与提高跨导的截止频率fgm的要求相同。;当输出端共轭匹配，并忽略寄生电容C?gs和C?gd时，;于是可得MOSFET的最大高频功率增益为;;4.6.4沟道渡越时间;与跨导的截止频率以及最高工作频率相比较，可得