原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
;;由于?xp与?xn远小于势垒区总宽度xd，所以可将这些变化的电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。这时PN结势垒电容就像一个普通的平行板电容器，所以势垒电容CT可以简单地表为;2.5.2突变结的势垒电容;;对于P+N单边突变结，;;实际PN结势垒电容CT的计算;反之，则可近似看作线性缓变结，在计算CT时需要已知结深xj处的杂质浓度梯度a(xj)。这时应先通过求解方程;变容二极管是经过特殊掺杂设计制作的PN结二极管，顾名思义，它是通过外加反向偏压的改变来使势垒电容发生变化。其主要应用在电调谐、变频调制等电路中，它与普通二极管在掺杂、结构、封装都有很大的区别。;用POISSON方程对势垒电容进行定量分析。;忽约x0的重掺杂P区，则空间电荷区从x=0到x=d，泊松方程可以写为：
将上式积分两次，利用边界条件
x=0,V(0)=0;x=d,V(d)=VD-V,E(d)=0,得到耗尽层厚度和势垒电容的表示式如下： ;可以看出，PN结势垒电容的非线性和杂质浓度的分布有密切的关系。杂质浓度分布越陡且斜率为正(m越大)，则电容随外加偏压的变化就越小。而对m0的超突变结，其电容的变化最大。;在衬底扩散p+区之前，先在厚度为4μm的n型外延层上扩散一次施主杂质，以形成梯度为负的杂质浓度分布。然后再进行p+扩散。
文档评论（0）