微电子器件（4-3）MOSFET 的直流电流电压方程.pptx

4.3MOSFET的直流电流电压方程;推导时采用如下假设;③沟道内的载流子（电子）迁移率为常数；;当在漏极上加VDVS后，产生漂移电流，;（4-37）;当VGVT后，沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用，所以能带的弯曲程度几乎不再随VG增大，表面势?S也几乎维持?S,inv不变。于是，;当外加VD(VS)后，沟道中将产生电势V(y)，V(y)随y而增加，从源极处的V(0)=VS增加到漏极处的V(L)=VD。这样?S,inv、xd与QA都成为y的函数，分别为;下面对上式进行简化。;将Qn中的在V=0处用级数展开，;将此Qn代入式（5-37）的ID中，并经积分后得;;;对于P沟道MOSFET，可得到类似的结果，;5、沟道中的电势和电场分布;式中，;当VDS=VDsat时，η=0，yeff=L，沟道电势分布和沟道电场分布分别成为;6、漏极电流的一级近似表达式;式中，;5.3.2饱和区的特性;但是实测表明，当VDSVDsat后，ID随VDS的增大而略有增大，也即MOSFET的增量输出电阻不是无穷大而是一个有限的值。;当VDSVDsat后，沟道中满足V=VDsat和Qn=0的位置向左移动?L，即;;VDSVDsat后，可将VDS分为两部分，其中VDsat降在有效沟道长度(L-?L)上，超过VDsat的部分(VDS-VDsat)则降落在长度为?L的耗尽区上。根据耗尽区宽度公式可计算出?L为;若用I’Dsat表示当VDSVDsat后的漏极电流，可得;对于L较短及NA较小的MOSFET，当VDSVDsat后，耗尽区宽度接近于有效沟道长度，这时从漏区发出的电力线有一部分终止于沟道上，使沟道电子的数量增多，从而导致电流增大。可以把此看作是在漏区与沟道之间存在一个电容CdCT，当VDS增加?VDS时，沟道区的电子电荷面密度的增量为