微电子器件（5-2）半导体异质结.pptx

晶格匹配突变异质结；当两种半导体的晶格常数近似相等时，即可认为构成了第一种异质结，这里所产生的界面能级很少，可以忽略不计。

晶格不匹配异质结；当晶格常数不等的两种半导体构成异质结时，可以认为在晶格失配所产生的附加能级均集中在界面上，而形成所谓界面态，这就是第二种异质结。

合金界面异质结。第三种异质结的界面认为是具有一点宽度的合金层，则界面的禁带宽度将缓慢变化，这时界面能级的影响也可以忽略。;5.2.1半导体异质结的能带突变

;;能带突变的应用例子：

（a）产生热电子

（b）使电子发生反射的势垒

（c）提供一定厚度和高度的势垒

（d）造成一点深度和宽度的势阱。;不考虑界面态时，突变反型异质结能带图。

突变异质结是指从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡只发生在几个原子距离范围内的半导体异质结。;在未形成异质结前，p型半导体费米能级与n型半导体费米能级不在同一水平;两块半导体材料交界处形成空间电荷区（即势垒区或耗尽层），n型半导体为正空间电荷区，p型半导体一边为负空间电荷区，因不考虑界面态，势垒区中正空间电荷数等于负空间电荷数。

;两种半导体的导带底在交界面处的突变量为;运用同质结一样的耗尽层近似，可以得出内建电势在P型区和N型区中的分量：;;同理，可得突变同型异质结的能带图;;-qVn;从N型区导带底到P型区导带底的势垒高度是;;从而求得电子的扩散电流密度;