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5.3高电子迁移率晶体管(HEMT);1、在GaAs衬底上采用MBE（分子束外延）等技术连续生长出高纯度的GaAs层和n型AlGaAs层；
2、然后进行台面腐蚀以隔离有源区；
;一般该隔离层厚度取为7~10nm。既能保证高的2-DEG的面密度，又可降低杂质中心的Coulomb散射;5.3.2HEMT的工作原理
;栅电压可以控制三角型势阱的深度和宽度，从而可以改变2-DEG的浓度，以达到控制HEMT电流的目的。属于耗尽型工作模式。;如果AlGaAs/GaAs异质结中存在缓变层，缓变层厚度WGR的增大将使2-DEG的势阱增宽，使势阱中电子的子能带降低，从而确定的Fermi能级下，2-DEG的浓度增大；但是，WGR的增大，使异质结的高度降低，又将使2-DEG的浓度减小。;存在一个最佳的缓变层厚度，使2-DEG的浓度最大。对于不存在隔离层N-Al0.37Ga0.63As/GaAs异质结，计算给出2-DEG的浓度ns与AlGaAs中掺杂浓度ND和缓变层厚度WGR的关系如下所示。
;;势能可由如下的泊松方程求解;由高斯定律，表面电场Fs与表面载流子密度ns之间存在以下关系;突变异质结构不同隔离层厚度di情况下二维电子气密度与GaAlAs掺杂浓度的关系;缓变异质结构在不同未掺杂GaAlAs隔离层厚度di情况下二维电子气密度与GaAlAs掺杂浓度的关系
（实线对应于WGR=3nm,虚线对应于WGR=0nm）;5.3.4HEMT的直流特性
;金属-AlGaAs-GaAs结构在零偏及反偏的能带图。;负栅压将降低二维电子气的浓度，正栅压将使二维电子气的浓度增加。二维电子气的浓度随栅压增加，直到GaAlAs的导带与电子气的费米能级交叠为止。如下图：;HEMT的电流与电压关系;阈值电压;采用缓变沟道近似，则漏极电流沿沟道的分布可以表示为;VDS较大时漏极电流将达到饱和;下图中，虚线是计算结果，实线是测量结果。可见，在强电场下工作的耗尽型HEMT和增强型HEMT，都呈现出平方规律的饱和特性。即;5.3.7HEMT的频率特性;如图，迁移率作为电场的函数，随着温度T的升高是下降的，在300K时几乎与电场无关，而在低温、特别是在低电场时，迁移率随电场下降得很快（由于这时迁移率很高，电子迅速被“加热”而发射出极性光学波声子的缘故）。;在GaAs/AlxGa1-xAs异质结中的2-DEG的迁移率，不仅与温度T有关，还与2-DEG浓度和组分x强烈相关，除此之外，???与异质结中的本征AlGaAs隔离层厚度d有关。;对短沟HEMT，决定器件性能的因素往往不是低电场时的迁移率，而是高电场时的饱和速度vdsat;图为电子速度与电场作用时间的关系;输出短路时;所以，对短栅情形，提高最高工作频率的措施是缩短沟道长度L
对长栅情形，提高高工作频率的措施也包括缩短沟道长度L，提高载流子迁移率，提高栅极电压，减小截止电压。
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