微电子器件（5-4）异质结双极晶体管(HBT) .pptx

;异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor——HBT);HBT是由禁带宽度较大(大于基区的禁带宽度)的半导体作为发射区的一种BJT，即采用异质发射结的双极型晶体管。这种异质发射结注入电子的效率很高(≈1)，因为空穴的反向注入几乎完全被额外的一个空穴势垒阻挡，即发射结的注入效率主要由结两边禁带宽度的差异所造成的一个额外的空穴势垒(高度为ΔEv)决定，而与发射区和基区的掺杂浓度基本上无关。因此，HBT可以在保持较高的发射结注入效率的前提下，容许提高基区的掺杂浓度和降低发射区的掺杂浓度，从而使器件的基区宽度调制效应得以减弱(可得到较高的Early电压)、基极电阻减小、大注入效应减弱、发射结势垒电容减小、发射区禁带宽度变窄效应消失，并可通过减薄基区宽度大大缩短基区渡越时间，所以能够实现超高频、超高速和低噪声的性能，从而提供最大的Early电压值，有利于微波应用。采用Ⅲ—V族化合物半导体制作的HBT，就是最早进入毫米波领域应用的一种三端有源器件。;根据异质结界面过渡区材料组分的变化情况可以将其分为突变异质结和缓变异质结。突变异质结的过渡区很薄，通常只有数十?或几个?，缓变异质结则有比较宽的过渡区．通常有数百?。其宽度可通过工艺方法和工艺方条件来控制。;异质结双极晶体管，其宽禁带发射区、窄禁带基区构成的发射结一定是异质结，集电结可以是异质结，也可以是同质结。其基本结构及工作原理和普通同质结双极晶体管大致相同。;而;;得到;下图是同质结双极晶体管与HBT的杂质浓度分布的比较。为了得到高的注入效率，同质结双极晶体管的发射区为高掺杂,基区的掺杂浓度比发射区低两个数量级。而对HBT而言，由于能带结构带来的高注入比优势，发射区掺杂浓度低于基区掺杂浓度，使得HBT体现了高速高增益的特性。;采用MBE或MOCVD制作的AlGaAs/GaAsHBT结构示意图;5.4.2、能带结构与HBT性能的关系;而对于势垒本身而言，其不良影响之一是使得到同样电流，发射极偏压将增大，极大地降低了发射系数。因为此时，发射区电子穿过发射极所越过的势垒比缓变发射极小了，而基区空穴穿过发射极所越过的势垒没有变化，相??于发射区与基区的带隙宽度差?EG减小?EC了，约为?EV。;故有;对突变异质结而言，价带断续大的发射结则对增益有利。;不同材料的小尺寸器件，由载流子非平衡输运的平均时间可以估算出其有效漂移速度;由于GaAs的上下能谷的能量差为0.33eV，大的注入能量会使更多的电子跃迁到上能谷，而上能谷比下能谷有效质量大很多，具有较低的速度和迁移率。

因此，发射极势垒尖峰很高，也不一定会得到高的电子漂移速度和低的基区渡越时间。;可以通过基区材料组分的缓变，实现带隙的变化，从而设置基区加速场;采用缓变基区能带结构以降低基区渡越时间τB、提高频率特性之后，对整个延迟时间的贡献最大者则是如下式的集电极空间电荷区的渡越时间τSCR;5.4.3异质结双极晶体管的特性

;最高振荡频率为;;除了降低基极电阻，降低集电极电容也可使开关时间降低。采用下图的反向器件结构，也就是集电极位于最上方，发射极置于最下方，从而缩小集电极面积，降低集电极电容;双异质结双极晶体管，简称DHBT，可以使发射结与集电结的内建电势相同，消除单异质结HBT的开启电压，降低功耗;5.4.4Si/Si1-xGex异质结双极晶体管

;光吸收实验得出Si1-xGex合金的禁带宽度Eg与Ge组分x关系;SiGe-HBT的基本结构是在硅基的发射区和集电区之间，外延一层p+SiGe材料作为基区。;Si/SiGeHBT的Ic与普通的SiBJT的相比，有如下关系：