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4.8MOSFET的结构及发展方向;4.8.1按比例缩小的MOSFET;这时器件及集成电路的性能发生如下改变：;2、恒场按比例缩小法则的局限性;3、其它按比例缩小法则;4.8.2双扩散MOSFET;4.8.3深亚微米MOSFET;2.多晶硅耗尽效应;栅氧化层1nm单位面积栅电容;;多晶硅耗尽对输出特性的影响;3、速度过冲效应;4.8.4应变硅MOSFET;Intel90nm工艺中采用的应变沟道技术，(a)NMOS器件采用SiN盖帽层产生沟道拉伸应力，???(b)PMOS器件采用SiGe源漏产生沟道压缩应力;4.8.5高K栅介质及金属栅电极MOSFET;常用等效栅氧化层厚度EOT（EquivalentOxideThickness）作为衡量标准。;由于边缘效应使到达栅极下方沟道区的电力线减少，而一部分电力线从栅极到达源—漏扩展区沟道中电势上升，电子势垒下降导致了MOSFET的关态泄漏电流增加，相应阈电压下降。
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