微电子器件（4-11）多栅结构MOSFET与FinFET .pptx

4.11多栅结构MOSFET与FinFET;多栅MOSFET的沟道区有多个表面被栅覆盖，使栅电压从多个方向对沟道电势进行调节，从而增强对沟道区电荷的控制。

为了增强栅级多个方向电场的控制作用，通常沟道区的横截面尺寸要小于耗尽层宽度。;平面体硅MOSFET结构(a)与FINFET结构(b)的比较;英特尔第一代BulkFINFET——22nmIvyBridge处理器晶体管的剖面图及仿真结构图;第2代FinFET与第1代相比，通过减小Fin宽度并增加高度，在微细化的同时兼顾了电流驱动力的改善。栅极长度约为20nm。其另一个特点是，为了减小布线延迟，在层间绝缘膜中导入了气隙。;多栅MOS器件是利用多个方向的栅来控制沟道电场。实际上，双栅SOIMOSFFT是从单栅薄膜全耗尽SOIMOSFET发展来的。为了克服FDSOIMOSFET背栅控制作用弱的问题，可以把背栅做成和正栅一样的结构，用同样的薄栅氧化层和栅电极，并且两个栅电极电连接在一起，共同用来调制沟道。由于双栅器件与普通的平面工艺不兼容，实际上的多栅结构器件一般制作成三栅FINFET结构，如图所示。;三栅FINFET结构硅鳍的高是Hfin，宽为Wfin，如果器件HfinWfin，即硅鳍的高宽比很小，可以忽略左右侧栅的影响，器件可以简化为平面单栅器件来作近似分析；而如果HfinWfin,即硅鳍的高宽比很大，则可以忽略顶栅的影响，简化为双栅器件来作近似分析。目前工艺上应用的FINFET结构高宽比很大，所以，这里用双栅器件来做近似。上一节已经对单栅SOI器件进行了分析。这里只对双栅FINFET结构进行讨论。

设x是垂直于沟道向内的方向，y是平行于沟道的方向，写出二维泊松方程:

在垂直表面的x方向，电势变化较为平缓，可以采用简单的抛物线函数来近似;硅鳍与栅氧化层界面x=o处，满足

界面处的电场，由栅压和氧化层厚度决定

忽略顶栅的影响，在硅鳍中间，电场为零：

求解上述三式，得出抛物线近似下的电势分布

;

在上式中代入x=Wfin/2，可以得到硅鳍中心的电势фC与表面势фs的关系

也就是说，双栅FINFET硅膜中心的电势与表面势呈线性关系。下图是数值计算得到的沿沟道方向在硅鳍中心和表面的电子势能分布。;其中，λ2为特征长度，与前面单栅SOIMOSFET的特征长度λ1具有相同的物理意义，且λ2λ1，表明双栅FINFET比单栅SOI器件更有利于抑制短沟道效应。;若统一以TSi表示硅层（鳍）厚度，则下表列举了不同种类多栅器件的特征长度。;以有效沟道长度Leff(a)和以有效沟道长度与特征长度之比Leff/λ(b)为衡量标准的不同种类器件的DIBL效应;4.11.3.双栅FINFET的亚阈值斜率;通过求;上图为亚阈值斜率与缩小参数α的关系，并与二维数值模拟的结果进行比较，尽管数值模拟的离散性较大，仍然能与上式很好地吻合。;4.11.4双栅FINFET的按比例缩小;4.11.6围栅MOS器件

围栅（GateAllAround,GAA或SurroundingGate,SG）MOSFET是使栅电极完全包围一个很细的硅柱（沟道区）。它比双栅MOSFET栅对沟道区的控制更强。

;垂直围栅MOSFET等比例缩小理论

为了分析硅柱中的电势分布，应在柱坐标下求解泊松方程：

假设在径向电势是抛物线函数，则有

存在以下边界条件：

1）硅柱中心的电势只是z的函数，即;2）硅柱中心电场为零：

3）在硅-二氧化硅界面处的电场由下式决定：

式中φGS是栅电势，φS是表面势，tSi是硅柱直径。

可以得到硅柱中心电势分布满足的方程：;其中

就是圆柱形围栅MOSFET的特征长度，如果tSi2tox，则特征长度可简化为

这表明围栅MOSFET比双栅MOSFET的特征长度可以减小30％左右。围栅MOSFET可以用更短的沟道长度而保持和双栅MOSFET一样的亚阈值斜率。α32.3就等效于双栅器件的α22.7。;比较了围栅和双栅器件中允许的最小沟道长度与参数的关系，可以看出，在给定参数下，围栅MOSFET的沟道长度可以比双栅MOSFET小40%。这说明围栅MOSFET比双栅MOSFET更