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3DNANDFlash中IO接口关键电路的深度剖析与创新研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆发式增长。国际数据公司（IDC）的报告显示，全球数据量预计将从2018年的33ZB增长到2025年的175ZB，年均复合增长率高达26%。如此庞大的数据量，对存储技术提出了前所未有的高要求。3DNANDFlash作为现代存储领域的关键技术，凭借其独特优势，在各类存储应用中占据了举足轻重的地位。

相较于传统的2DNANDFlash，3DNANDFlash采用立体堆叠技术，突破了平面工艺的限制，实现了存储密度的大幅提升。简单来说