基于Mo₂CSi体系的极紫外多层膜热稳定性：微观机制与性能优化研究.docx

基于Mo?CSi体系的极紫外多层膜热稳定性：微观机制与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其性能和尺寸的不断优化对于推动科技进步至关重要。而极紫外光刻技术（EUVL），作为实现先进集成电路制造的关键技术之一，正逐渐成为半导体行业的焦点。

极紫外光刻技术利用极紫外波段（通常为13.5nm左右）的光源进行投影曝光，与传统的深紫外光刻技术相比，具有波长更短、分辨率更高的显著优势，能够在更小的尺度上实现高精度的图案刻蚀，为制造更小尺寸、更高性能的晶体管提供了可能。随着半导体工艺节点不断向更小尺寸迈进，如从14nm、7