功率器件用硅衬底 GaN HEMT 外延片-征求意见稿.docx

T/CASAS060—202X（征求意见稿）

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功率器件用硅衬底GaNHEMT外延片

1范围

本文件规定了功率器件用硅衬底GaNHEMT外延片的分类和标记、要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和储存。

本文件适用于功率器件用硅衬底GaNHEMT外延片。产品主要用于制作功率半导体及电子器件。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1555—2023半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557—2018硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T4326—2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T13387—2009硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T14140—2009硅片直径测量方法

GB/T14146—2021硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法

GB/T14264—2009半导体材料术语

GB/T29507—2013硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法

GB/T30653—2014Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

GB/T32189—2015氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T32280—2022硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法

GB/T40279—2021硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法T/CASAS002—2021宽禁带半导体术语

3术语和定义

GB/T14264-2009、T/CASAS002-2021界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

高电子迁移率晶体管highelectronmobilitytransistor；HEMT

利用氮化物异质结或调制掺杂产生的高迁移率二维电子气特性的场效应晶体管。

3.2

耗尽型高电子迁移率晶体管depletionhighelectronmobilitytransistor；D-modeHEMT在栅极偏压为零时其沟道打开，源漏处于导通状态的高电子迁移率晶体管器件。

注：此类器件也称为常开器件。

3.3

增强型高电子迁移率晶体管enhancementmodehighelectronmobilitytransistor；E-modeHEMT

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通过施加高于阈值电压的正向栅源电压来开启其沟道的氮化物高电子迁移率晶体管。在当栅极电压为零时，栅极下方的半导体沟道处于关闭状态，漏极电流为零，器件处于关断状态。增加栅极电压，漏极电流逐渐增大，直至开启。

注：此类器件也称为常关器件。正向栅极电压在栅极下方诱导产生具有高载流子浓度的电流通道。

3.4

外延epitaxy

用气相、液相、分子束等方法，在衬底上生长与衬底晶格有对应继承关系的晶体生长工艺。在衬底上生长组份与衬底材料相同的单晶薄层，称同质外延；在衬底上生长与衬底材料组份不同的单晶薄层，称异质外延。

3.5

二维电子气two-dimensionalelectrongas；2DEG

当宽禁带半导体异质结界面处的电子运动在某一个方向（如z方向）上受到限制形成量子能级，这种具有两个自由度的自由电子。

3.6

缓冲层bufferlayer

在宽禁带半导体外延生长中，为关键外延层所准备的前期铺垫层。

3.7

弯曲度bow

自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准面间的偏离。

注：中位面基准面是由指定的小于晶片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面。

3.8

翘曲度warp

在质量合格区内，一个自由无夹持的晶片中位面相对参照平面的最大和最小距离之差。

3.9

总厚度变化totalthicknessvariation；TTV晶片厚度的最大值和最小值间的差。

注：最初，总厚度变化(TTV)是通过对少量点的测量来确定的，(一般是5个或9个点)，但现代测量设备在整个固定质量区域内以相对较小的间隔对晶圆进行采样，并将总厚度变化报告为GBIR。

3.10

半峰全宽fullwidthathalfmaximum；FWHM特征峰高一半处的峰宽度。

图1功率器件用硅衬底GaNHEMT外延片结构示意图

4产品分类

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产品按直径尺寸分为：

a)Ф150±0.2mm；

b)Ф200±0.2mm。

5要求

5.1去边范围建议

测试中为了避免边缘