SiC MOSFET 功率模块短路可靠性测试方法 - 征求意见稿.docx

T/CASAS040—202X（征求意见稿）

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SiCMOSFET功率模块短路可靠性测试方法

1范围

本文件规定了SiCMOSFET功率模块短路可靠性测试方法，包括测试原理、测试流程、数据记录和处理等内容。

本文件适用于SiCMOSFET功率模块在FT（FinalTest）、实验室研发等阶段的短路可靠性测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2900.32-1994电工术语电力半导体器件GB19517—2023国家电气设备安全技术规范

T/CASAS039—202XSiCMOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法

3术语和定义

GB/T2900.32-1994界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

SiCMOSFET模块SiCMOSFETmodule

由两个或两个以上SiC材料制作的MOSFET芯片或者和其它元器件按一定电路连接并安装在电路载体（陶瓷基覆铜板）上，采用绝缘壳体、塑料封装，实现半导体分立器件功能的模块。

3.2

半桥模块halfbridgemodule

由两个SiCMOSFET器件串联组成的模块。

3.3

全桥模块fullbridgemodule

由四个SiCMOSFET器件按一定的电路连接组成的模块。

3.4

三相全桥模块3-Phasebridgemodule

由六个SiCMOSFET器件按一定的电路连接组成的模块。

3.5

短路可靠性shortcircuitreliability

器件在短路工况下的承受能力，包括极限短路耐受时间、极限短路能量等指标。

3.6

短路耐受时间shortcircuitwithstandtime

rSC

在规定条件下，器件能够承受住短路电流而不损坏的时间。

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3.7

极限短路耐受时间shortcircuitwithstandlimittime；LimitTSC在规定条件下，器件能够承受住短路而不损坏的最长时间。

3.8

短路电流shortcircuitcurrent

ISC

在规定条件下，器件的短路电流。

3.9

壳温casetemperature

rC

在器件管壳规定点测得的温度。

注：通常指最接近有源区部位的管壳温度，常见为芯片正下方几何中心点。[来源：GB/T2900.32—1994，2.2.10]

4测试对象

本文件的测试对象为SiCMOSFET功率模块，包括半桥模块、全桥模块、三相全桥模块、其他模块等。

5测试原理

5.1一般要求

在对SiCMOSFET功率模块进行测试时，依据功率模块中的功率器件是否可以拆解为半桥模块结构选择不同的测试原理进行测试。若功率器件不能拆解为半桥模块结构，则使用等效单管测试原理进行测试；若功率器件能拆解为半桥模块结构，则可从桥臂直通测试原理或等效单管测试原理中选择一种进行测试。

5.2等效单管测试的测试原理

进行等效单管测试时，将功率模块中被测的单个测功率器件的栅极、漏极、源极分别导出，接入T/CASAS039—202X规定的短路测试电路中，按照与单管功率器件相同的测试原理和测试流程进行测试。

5.3桥臂直通测试的测试原理

桥臂直通测试的测试电路图见图1，其中蓝色虚线框所示为功率模块中被测的半桥模块结构。

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标引序号说明：

LS——为允许的最大杂散电感，该杂散电感应足够低，以确保最大短路电流可在栅极脉冲宽度（tpSC）最初的25%内达到；

RS——为整体环路电阻，该电阻值应足够低，以确保该电阻最大压降小于VDD的5%；ID——为对漏极电流进行监测的装置；

VDD——为可调电压源，电压源最大输出电流应大于被测器件短路电流；

VGG-A——为半桥模块结构中器件A的栅极所接的栅极脉冲发生器，脉冲宽度最小分辨率为0.1μS，最小脉冲宽度为0.5μs；

RG-B——为半桥模块结构中器件A的栅极所接的栅极电阻；

VGG-B——为半桥模块结构中器件B的栅极所接的栅极脉冲发生器，脉冲宽度最小分辨率为0.1μS，最小脉冲宽度为0.5μs；

RG-B——为半桥模块结构中器件B的栅极所接的栅极电阻。

图1桥臂直通测试电路

进行桥臂直通测试时，将功率模块中被测的半桥模块结构导出并接入到短路测试电路中，先控制半桥模块结构中的器件B开通并确保