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固结磨料摩擦化学机械抛光单晶SiC基片表面氧化反应动力学.pdf

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    摘要

    单晶碳化硅（SiC）作为一种新型半导体材料，具有非常理想的性能，作为衬底材料

    被广泛应用于集成电路、光电子、航空航天和医疗等领域。因此对碳化硅表面质量要求

    很高。然而，由于其脆性大、高硬度、高抗拉强度和高化学惰性，给SiC的高效精密加

    工带来很多挑战。为了提高SiC精密加工的效率，诸多学者对其材料去除机理进行研究

    来解释材料去除成因，然而，基于化学和机械作用的抛光技术是一项复杂加工工艺，这

    使得其反应作

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