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华中科技大学张林
电子技术根底模拟局部
1绪论
2运算放大器
3二极管及其根本电路
4场效应三极管及其放大电路
5双极结型三极管及其放大电路
6频率响应
7模拟集成电路
8反响放大电路
9功率放大电路
10信号处理与信号产生电路
11直流稳压电源
2华中科技大学张林
4场效应三极管及放大电路
4.1金属-氧化物-半导体〔MOS〕场效应三极管
4.2MOSFET根本共源极放大电路
4.3图解分析法
4.4小信号模型分析法
4.5共漏极和共栅极放大电路
4.6集成电路单级MOSFET放大电路
4.7多级放大电路
4.8结型场效应管〔JFET〕及其放大电路
*4.9砷化镓金属-半导体场效应管
4.10各种FET的特性及使用本卷须知
3华中科技大学张林
场效应管的分类：
N沟道
增强型
MOSFETP沟道
(IGFET)N沟道
FET绝缘栅型耗尽型
场效应管P沟道
JFETN沟道
〔耗尽型〕
结型P沟道
耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在
增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道
4华中科技大学张林
4.1金属-氧化物-半导体〔MOS〕
场效应三极管
4.1.1N沟道增强型MOSFET
4.1.2N沟道耗尽型MOSFET
4.1.3P沟道MOSFET
4.1.4沟道长度调制等几种效应
4.1.5MOSFET的主要参数
5华中科技大学张林
4.1.1N沟道增强型MOSFET
1.结构
L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度
通常WL
绝缘体
二氧化硅绝缘层
沟道栅极g
（SiO2）
铝电极
（Al）
N＋
tox
LN＋
P型衬底
源极s
漏极dW
6华中科技大学张林
4.1.1N沟道增强型MOSFET
1.结构
源极s栅极g漏极d
铝
铝绝缘层铝d
SiO2
＋＋衬底
NNg
B
耗尽层P型硅衬底
s
B衬底引线
剖面图符号
7
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