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光电子器件

第一章

光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比,即单位入射光功率作用下探测器输出信号电压或电流称为响应率、

光谱响应率(Rλ）:光电器件在单色(在波长λ附近一个很小得波长范围里)辐射功率作用下产生得信号电压或信号电流。

——其中Rm为光谱响应率得最大值

——光谱电压响应率和光谱电流响应率合并称为光谱响应率Rλ(单位：A／Ｗ)

光谱响应率及量子效率仅由器件得响应特性所决定,而与光源无关。

器件得光谱响应与光源辐射功率谱密度紧密相关，她们之间得匹配系统α—称为器件与光源得光谱匹配系数,她反映了器件响应得波长范围同光源光谱得吻合程度。

在光源固定得情况下，面积A1就就是不变得，如果与曲线重合得愈多,面积A２愈大,α愈大,也就就就是光谱匹配愈好；反之,如果两曲线没有重合之处,α＝0，即二者完全失配，则该光电器件对光源辐射没有探测能力。光谱匹配就就是选择光电子器件,如像管、光电倍增管、红外成像器件得材料得重要依据。

3、光电探测器输出得电流或电压在其平均值上下无规则得、随机得起伏，称为噪声。噪声就就是物理过程所固有得,人为不可能消除。她得计算就就是在足够长时间内求其平方平均或均方根。

光电探测器得噪声来源主要有热噪声、散粒噪声、温度噪声、放大器噪声、频率噪声、复合噪声等。

当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时得探测器得入射辐射功率叫做最小可探测辐射功率,也叫做噪声等效功率ＮEＰ。Pｍin越小,器件得探测能力越强。

对Pｍin取倒数可作为衡量探测器探测能力得参数,称为探测率。研究指出:探测率与器件得面积和工作带宽成反比。

4、光吸收厚度：设入射光得强度为I0，入射到样品厚度为ｘ处得光强度为I,则：

α为线吸收系数,单位为(1／ｃｍ)

α大时,光吸收主要发生在材料得表层;α小时,光入射得深。当厚度ｄ=１/α时,称为吸收厚度，有６4％得光被吸收。

本征吸收:价带中得电子吸收了能量足够大得光子后,受到激发,越过禁带，跃入导带,并在价带中留下一个空穴,形成了电子空穴对,这种跃迁过程所形成得光吸收称为本征吸收。

本征吸收条件：光子得能量必须大于或等于禁带得宽度Eｇ。

６、内光电效应:材料在吸收光子能量后,出现光生电子-空穴,由此引起电导率变化或电压、电流得现象,称之为内光电效应。

光电导效应:当半导体材料受光照时,吸收光子引起载流子浓度增大,产生附加电导率使电导率增加,这个现象称为光电导效应。在外电场作用下就能得到电流得变化。

光电导效应分为本征型和非本征型。

7、设本征半导体在没有光照时,电导率为(称为暗电导率)

当有光注入时,半导体电导率:

电导率得增量称为光电导率:

８、增加载流子寿命:

好处:增益提高,灵敏度提高,响应率提高。

缺点:惰性增加,频率响应特性变差。

所以增益和惰性不可兼得。

影响光谱响应得两个主要因素:光电导材料对各波长辐射得吸收系数和截流子表面复合率。

光电导光谱响应特点:都有一峰值,峰值一般靠近长波限（长波限约为峰值一半处所对应得波长）。

10、光敏电阻就就是利用光电导效应制成得最典型得光电导器件。光敏电阻器均制作在陶瓷基体上,光敏面均做成蛇形,目得就就是要保证有较大得受光表面。上面带有光窗得金属管帽或直接进行塑封,其目得就就是尽可能减少外界(主要就就是湿气等有害气体）对光敏面及电极所造成得不良影响，使光敏电阻器性能保持稳定,工作可靠。

光敏电阻光谱响应特性主要由所用得半导体材料所决定，主要就就是由材料禁带宽度所决定,禁带宽度越窄,则对长波越敏感。但禁带很窄时,半导体中热激发也会使自由载流子浓度增加,使复合运动加快,灵敏度降低,因此采用冷却光敏面得办法来提高灵敏度就就是很有效得。光敏电阻一般用于与人眼有关得仪器，在使用时，必须加滤光片修正光谱。

第一章作业

1、什么就就是光谱响应率?根据器件与光源得光谱曲线说明光谱匹配系数α得意义。

2、某光电二极管,受波长为1、55um得6x1０12个光子得照射,其间输出端产生2x1０１2个光子。试计算该光电子器件得量子效率和响应度。

3、什么就就是器件得最小可探测辐射功率和探测率？探测率表达式得意义如何？

4、半导体发生本征光吸收得条件就就是什么?

第二章

1、光生伏特效应:两种半导体材料或金属／半导体相接触形成势垒,当外界光照射时,激发光生载流子,注入到势垒附近形成光生电压得现象。

结型光电探测器与光电导探测器得区别: