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刘海涛陈启秀
(浙江大学信电系功率器件研究所,杭州310027)
、
SiC
,。
WideBandgapSemiconductorPowerDevices
LiuHaitao,ChenQixiu
(InstituteofPowerDevices,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027)
AbstractThepaperpresentsthemaincharacteristicsofwideandgapsemiconduc-
tors,andelaoratesthelatestdevelopmentofSiCanddiamondpowerdevices.Atthe
sametime,thefuturedevelopmentofSiCanddiamondpowerdevicesisforcasted.
KeywordsWideandgapsemiconductorPowerdevicesSiCDiamond
1:
1引言
1)WBG(SiC
Si,),,
、;2)WBG
,,,
10～14,
。(WBG)Si
2.2,CCD;3)WBG
Ⅱ—、Ⅱ—、Ⅱ—、Ⅲ—、、
OSSeNSiC
,,
。SiGaAs
、、。,WBG
、,Si,
GaAs、。。
Johnson(JFOM=Ecvs/2π,EcSiC
;vs)、Keyes、、,
1/2
(=[s/4],;SiC,
KFOMλCvπXC
)(=SiC。
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