pe42822ds使用手册说明.pdf

  1. 1、本文档共21页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

PE42822

文件类别:产品规格书

UltracMOS®单刀双掷RF开关,700MHz-3.8GHz

特征图1•PE42822功能图

•出色的单次峰值功率处理

46.1dBmLTE

RFC

•出色的线性度性能

频率

输入IP3:65dBm

输入IP2:120dBmRF1RF2

•工作温度扩展至105°C

•1.8V/3.3VTTL兼容控制50?50?

•RF引脚具有3kVHBM的高ESD性能,以

地CMOS控制驱动器

•封装–16引脚3×3×0.85mmQFN封装和ESD

应用程序lsCTRLVDD

•无线基础设施

•接收器保护开关

产品说明

PE42822是一款采用HARP™技术增强型吸收型50Ω单刀双掷RF保护开关,专为高功率和高性能无线基础设施应

用而设计,例如中功率微蜂窝产品,支持最高3.8GHz的频率。

该开关具有高线性度,在整个电源范围内保持不变。PE42822还具有出色的隔离性能和快速开关时间,采用

16引脚3×3mmQFN封装。此外,如果RF端口上存在0VDC,则不需要外部隔离电容。

PE42822采用Peregrine的UltracMOS®工艺制造,这是蓝宝石衬底上绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体。

百富勤的HaRP技术增强提供高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一个创新特性,提供了GaAs的

性能和传统CMOS的经济性和集成度。

©2015,百富勤半导体公司。版权所有。•总部:9380CarrollParkDrive,SanDiego,CA,92121

产品规范DOC-67330-2-(09/2015)

PE42822

单刀双掷射频开关

绝对最大额定值

超过表1中列出的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏。操作应限制在表2中的限值内。工作范围最大值之

间的操作

ESDPrecautions

WhenhandlingthisUltraCMOSdevice,observethesameprecautionsaswithanyotherESD-sensitivedevices.

AlthoughthisdevicecontainscircuitrytoprotectitfromdamageduetoESD,precautionsshouldbetakentoavoid

exceedingtheratingspecifiedinTable1.

Latch-upImmunity

UnlikeconventionalCMOSdevices,UltraCMOSdevicesareimmunetolatch-up.

Table1•AbsoluteMaximumRatingsforPE42822

Parameter/ConditionMinMaxUnit

Supplyvoltage,VDD–0.35.5V

Digitalinputvoltage,VC

文档评论(0)

雨中人 + 关注
实名认证
内容提供者

这一世渡尽红尘,若有来生,不再为人。

1亿VIP精品文档

相关文档