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PE4152

四路MOSFET混频器

PE4152是一款高线性度四极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）混频器，具有集成的本地振荡器（LO）放大器。LO放大器允许LO输入驱动电平小于0dBm，以产生类似于15dBmLO驱动的四MOSFET阵列的三阶交调点（IIP3）值。PE4152以射频（RF）和中频（IF）端口的差分信号工作，集成的LO缓冲放大器驱动混频器内核。它可用作上变频器或下变频器。

PE4152还提供了集成的LO放大器旁路选项，为低功耗或增加线性度操作提供了额外的灵活性。相对于使能模式，旁路LO放大器可提供出色的LO至RF和LO至IF隔离级别。

技术资源购买产品

PE4152规格

主要特征

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具有集成的LO使能和旁路模式的四路MOSFET阵列

两种LO模式均具有超高线性度

LO使能：25dBmIIP3，52dBmIIP2

本振旁路：24dBmIIP3，46dBmIIP2

两种LO模式下的高隔离度

LO使能：30/30dBLO–RF/IF?

LO旁路：60/58dBLO–RF/IF

两种LO模式下的转换损耗均低

封装–20引线4×4×0.85mmQFN?

技术指标

类型四路MOSFET阵列

描述高线性度

最小射频频率（MHz）136

最大射频频率（MHz）941

最低LO驱动（dBm）–10

最大LO驱动（dBm）+23

IIP3（dBm）26

包20升QFN

包装（mm）4×4

原理图?

技术资源

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数据表?

材料声明

原理图/BOM

Gerber文件

应用笔记：LO旁路模式下的PE4152混频器

应用说明：安装底部端接元件的焊接准则

应用说明：热特性

RoHS合规证书

REACH合规证书

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