1+X集成电路理论模拟习题（附参考答案）.docxVIP

1+X集成电路理论模拟习题（附参考答案）

一、选择题（每题2分，共40分）

1.集成电路按集成度可分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）。其中，中规模集成电路的门电路数范围是（）

A.小于10门

B.10-100门

C.100-1000门

D.大于1000门

2.以下哪种半导体材料在集成电路制造中应用最为广泛（）

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.磷化铟

3.在CMOS集成电路中，PMOS管和NMOS管的导通条件分别是（）

A.栅源电压大于开启电压；栅源电压小于开启电压

B.栅源电压小于开启电压；栅源电压大于开启电压

C.栅源电压大于阈值电压；栅源电压小于阈值电压

D.栅源电压小于阈值电压；栅源电压大于阈值电压

4.集成电路制造中的光刻工艺主要用于（）

A.掺杂

B.氧化

C.图形转移

D.金属化

5.以下哪种晶体管结构具有更好的短沟道效应抑制能力（）

A.平面MOSFET

B.FinFET

C.双极型晶体管

D.JFET

6.集成电路中的静态随机存储器（SRAM）的特点是（）

A.速度快、集成度高、功耗低

B.速度快、集成度低、功耗高

C.速度慢、集成度高、功耗低

D.速度慢、集成度低、