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太阳能电池制造工艺
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3.3太阳能电池制造工艺3.3.1硅片的加工—晶体硅?硅片硅片的加工,是将硅锭经表面整形、定向、切割、研磨、腐蚀、抛光、清洗等工艺,加工成具有一定直径、厚度、晶向和高度、表面平行度、平整度、光洁度,表面无缺陷、无崩边、无损伤层,高度完整、均匀、光洁的镜面硅片。图3-23硅片加工工艺流程
3.3太阳能电池制造工艺3.3.1硅片的加工1.切片工艺技术的原则要求:(1)切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小;(2)断面完整性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹;(3)提高成品率,缩小刀(钢丝)切缝,降低原材料损耗;(4)提高切割速度,实现自动化切割。2.切片方法:外圆切割、内圆切割、线切割以及激光切割等。
3.3太阳能电池制造工艺内圆切割:用内圆切割机将硅锭切割成0.2~0.4mm的薄片。其刀体的厚度0.1mm左右,刀刃的厚度0.20~0.25mm,刀刃上黏有金刚砂粉。切割过程中,每切割一片,硅材料有0.3~0.35mm的厚度损失,因此硅材料的利用率仅为40~50%。内圆切割刀片的示意图,如图3-24所示。图3-24内圆切割刀片示意图
3.3太阳能电池制造工艺内圆切割方法,可分为4类:(a)刀片水平安装,硅料水平方向送进切割;(b)刀片垂直安装,硅料水平方向送进切割;(c)刀片垂直安装,硅料垂直方向送进切割;(d)刀片固定,硅片垂直方向送进切割。图3-25内圆式切割机切割分类方法示意图
3.3太阳能电池制造工艺线切割机切片一根长达几千米的线两头缠绕在转鼓上,这根线在带磨料的悬浮液中切割硅晶体。切片更快,硅片更薄(0.18~0.2mm),硅损失更少(30%)。图3-26硅片线切割示意图
3.3太阳能电池制造工艺表3-2线切割与内圆切割特征的比较性能线切割内圆切割切割方法自由磨削加工固定研磨加工切片表面线锯痕迹切痕、裂纹、碎屑损伤深度/?m5~1520~30切片效率/(cm2/h)110~22010~30每次切片数/片200~4001损耗/?m150~210300~500可切片最薄厚度/?m180~200350可切硅锭最大直径/mm300以上200切片翘曲度轻微严重
3.3太阳能电池制造工艺激光切片机
3.3太阳能电池制造工艺3.3.2硅太阳能电池的制造—硅片?电池片制造晶体硅太阳能电池包括绒面制备、扩散制结、制作电极和制备蒸镀减反射膜等主要工序。常规晶体硅太阳能电池的一般生产制造工艺流程如图3-27所示。图3-27晶体硅太阳能电池生产制造工艺流程
3.3太阳能电池制造工艺3.3.2硅太阳能电池的制造1.硅片的选择硅片通常加工成方形、长方形、圆形或半圆形,厚度为0.18~0.4mm。2.硅片的表面处理(1)化学清洗去污,高纯水,有机溶剂,浓酸,强碱。(2)硅片的表面腐蚀去除30~50?m表面厚的损伤层。①酸性腐蚀浓硝酸与氢氟酸的配比为(10:1)~(2:1);硝酸、氢氟酸与醋酸的一般配比为5:3:3或5:1:1或6:1:1。②碱性腐蚀氢氧化钠、氢氧化钾等碱溶液。
3.3太阳能电池制造工艺3.绒面制备单晶硅绒面结构的制备,就是就是利用硅的各向异性腐蚀(NaOH,KOH),在硅表面形成金字塔结构。绒面结构,使入射光在硅片表面多次反射和折射,有助于减少光的反射,增加光的吸收,提高电池效率。图3-28绒面结构减少光的反射
3.3太阳能电池制造工艺4.扩散制结制结过程:在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层。制结方法:热扩散法、离子注入法、薄膜生长法、合金法、激光法和高频电注入法等。热扩散法制结:采用片状氮化硼作源,在氮气保护下进行扩散。扩散前,氮化硼片先在扩散温度下通氧30min,使其表面的三氧化二硼与硅发生反应,
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