现代电子材料与元器件PPT课件.pptx

3.1半导体材料(cáiliào)的物理基础2半导体中的杂质(zázhì)p型半导体图3.2非本征的p型半导体第1页/共81页第一页，共81页。

3.1半导体材料(cáiliào)的物理基础2半导体中的杂质(zázhì)浅能级杂质(zázhì)深能级杂质(zázhì)图3.3半导体硅中金的深能级金在导带下0.54eV处有一个受主能级(néngjí)，在价带上0.35eV处有一个施主能级(néngjí)。第2页/共81页第二页，共81页。

3.1半导体材料的物理(wùlǐ)基础2半导体中的杂质深能级杂质大多是多重能级。它反映出杂质可以有不同的荷电状态：在这两个能级中都没有电子填充的情况下，金杂质是带正电的，当受主能级上有一个电子而施主能级空着时，金杂质是中性的；当金杂质施主能级与受主能级上都有一个电子的情况下，金杂质带负电。深能级杂质和缺陷(quēxiàn)在半导体中起着多方面的作用。例如，它可以是有效的复合中心，使得载流子的寿命大大降低；它可以成为非辐射复合中心，而影响发光效率；它可以作为补偿杂质，而大大提高材料的电阻率。第3页/共81页第三页，共81页。

3.1半导体材料的物理(wùlǐ)基础3费米能级(néngjí)和载流子浓度由杂质能级或满带所激发的电子，使导带产生电子或使价带产生空穴(kōnɡxué)，这些电子或空穴(kōnɡxué)致使半导体导电，统称为载流子。半导体中电子的分布遵循费米分布的一般规律。图3.4费米分布函数满带中空穴的占据几率为第4页/共81页第四页，共81页。

3.1半导体材料的物理(wùlǐ)基础3费米(fèimǐ)能级和载流子浓度电子(diànzǐ)浓度空穴浓度电子和空穴的浓度分别决定于费米能级与导带底、费米能级与价带顶的距离。对于n型半导体，在杂质激发的范围，电子的数目远多于空穴，因此费米能级EF应在禁带的上半部，接近导带。而在p型半导体中，空穴的数目远多于电子，EF将在禁带下部，接近于价带。第5页/共81页第五页，共81页。

3.1半导体材料(cáiliào)的物理基础3费米能级(néngjí)和载流子浓度对于确定的材料(cáiliào)来说，禁带宽度是确定的，所以电子和空穴密度的乘积只是温度的函数。半导体中导带电子越多，则空穴越少；反之，空穴越多．则电子越少。例如，在n型半导体中，施主越多，电子越多，则空穴越少，故电子称为多数载流子，而空穴称为少数载流子。第6页/共81页第六页，共81页。

3.1半导体材料(cáiliào)的物理基础4电导(diàndǎo)与霍尔效应欧姆定律迁移率一方面决定(juédìng)于有效质量，一方面决定(juédìng)于散射几率。散射可以是由晶格振动引起的，也可以是由于杂质引起的。在温度较高时，晶格振动是散射的主要原因，随温度的升高而增加。在低温时，杂质散射是主要的散射方式。图3.5电导率与温度的关系第7页/共81页第七页，共81页。

3.1半导体材料(cáiliào)的物理基础4电导(diàndǎo)与霍尔效应在温度较低时，随着温度升高电导率不断增加(zēngjiā)，这是由于在杂质电离随温度升高而增大，因而电导率对数与温度的倒数之间存在线性关系；在高温时本征激发已成为主要影响因素，载流子只取决于材料的能带结构，此时电导率对数与温度的倒数之间也存在线性关系，但直线的斜率不同。而在中间温度范围，电导率随温度的升高而降低，这是由于此时杂质已经全部电离，因此载流子的数目不会增加(zēngjiā)，而晶格散射随温度升高而增加(zēngjiā)，从而使得迁移率下降。第8页/共81页第八页，共81页。

3.1半导体材料(cáiliào)的物理基础4电导与霍尔效应由于电导率受多种因素的影响(yǐngxiǎng)，其中电离的杂质浓度依赖于温度和杂质能级，所以半导体中杂质浓度可能与载流子浓度不同。为了直接测量载流子浓度和电导率，最直接的方法是利用霍尔效应。图3.6霍尔效应第9页/共81页第九页，共81页。

3.1半导体材料(cáiliào)的物理基础4电导(diàndǎo)与霍尔效应当半导体片放置在x-y平面内，电流沿x方向，磁场垂直于x-y平面。如果是空穴导电，则它们沿电流方向运动的同时，也受到洛伦兹力的作用发生(fāshēng)偏转，造成电荷的积累，从而导致一个与洛伦兹力方向相反的电场力。当两者相等时，霍尔系数为对于电子导电（n型半导体），霍尔系数为由霍尔系数可以直接测得载流子的浓度，而且，由它的符号可以确定是空穴导电还是电子导电。第10页/共81页第十页，共81页。

3.1半导体材料的物理(wùlǐ)基础5非平衡(pínghéng)载流子热平衡