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磷扩散：硼（B）是三族元素，原子的最外层有三个价电子，硼原子最外层只有三个电子参加共价键，在另一个价键上因缺少一个电子而形成一个空位，邻近价键上的价电子跑来填补这个空位，就在这个邻近价键上形成了一个新的空位，我们称这个空位叫“空穴”。这种依靠空穴导电的半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。这种接受自由电子的杂质称为受主杂质。

磷（P）是五族元素，原子的最外层有五个价电子，磷原子最外层五个电子中只有四个参加共价键，另一个不在价键上，成为自由电子，失去电子的磷原子是一个带正电的正离子，正离子处于晶格位置上，不能自由运动，它不是载流子。因此，掺入磷的半导体起导电作用的，主要是磷所提供的自由电子，这种依靠电子导电的半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。N型半导体上自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。这种提供自由电子的杂质称为施主杂质。在硅片周围包围着许许多多的磷的分子，因此磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。在有磷渗透的一面就形成了N型，在没有渗透的一面是原始P型的，这样就达到了在硅片内部形成了所要的PN结。--这就是所说的扩散。

PN结相关原理：

当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结。制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质（P型），在半导体晶体内的一个区域中占优势，而使施主杂质（N型）在半导体内的另外一个区域中占优势，这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触。（如P型硅为掺杂B杂质的硅晶体，当用P型硅为基底进行磷扩散掺杂时，磷在晶体中有表层到内部曾浓度梯度分布，随着磷掺杂量越来越多，磷的掺杂量大于硼的掺杂量时呈N型硅，在硼磷浓度相等的地方，即为PN结的结深）。

磷吸杂原理：

硅片在磷扩散过程中，无论是预沉积还是驱入过程，本身都是一个高温氧化的过程，在这个过程中硅片表面的一层硅会被氧化，形成含有磷、硼等其他杂质的磷硅玻璃层，一个体积的硅将形成约2.27倍以上体积的磷硅玻璃。在形成磷硅玻璃层时，杂质会被分散，而相同杂质在不同物质相中的溶解度不一样，在两种相交界处，势必会发生杂质的再分布。对于某些杂质，虽然在硅-磷硅玻璃层中的分凝系数大于1，但是在磷硅玻璃层中扩散的很快，扩散速度大于分凝速度时，就会通过磷硅玻璃逸散，造成硅中的杂质含量减少，这就是所谓的磷吸杂。另外，利用杂质原子与硅原子的结构差异,将其扩散到硅片背面引起失配位错,因而形成应力吸杂中心。同时浓磷扩散层还可以提供其它吸杂方式:费米能级效应和离子增加固溶度(分凝机制)及硅自间隙原子的注入吸杂。

氧吸杂原理：

内吸杂（氧沉淀可以吸除硅中电活性金属杂质）：当氧沉淀在硅晶体内部形成时，会诱发层错、位错等二次缺陷，由于应力场的存在，能吸引硅片表面的金属杂质在这些缺陷处沉淀，而在近表面的器件有源区形成无金属杂质，无缺陷洁净区，呈现吸杂效应，这就是所谓的内吸杂。高温扩散过程中，增加氧的量，可以增强硅片表面的氧化层厚度和增加硅片背表面氧化区域的分布（由于是背靠背扩散，增加两片硅片之间的氧气量和氧气的流动性同样重要，所以应当适当增加大氮流量以增加气流的流动性），氧化层在后续过程中会被洗去，从而可以带走硅片表面的部分杂质。同时，部分氧通过扩散进入硅片内部，在后续退火冷却过程中形成氧沉淀，氧沉淀的存在可以吸除硅片表面的电活性金属杂质。共同作用下实现去除硅片表面杂质的目的。

变温扩散相对于恒温扩散的优势：

在变温吸杂中,首先采用低温预淀积，在硅片表面扩散一定量的P，引起晶体缺陷；之后进行高温吸杂,这可以快速有效的溶解金属沉淀或金属复合体,使杂质原子从不同的形态变为可以快速移动的间隙原子;但此高温下,在多晶硅衬底和在重磷扩散区域内的分凝系数差别不大，所以吸杂并不充分;而接下来进行的低温吸杂,极大地增加了吸杂的驱动力——杂质原子在吸杂区域的分凝,此情况下金属在不同区域的分凝系数相差很大,所以显著地提高了吸杂效果。而高温恒温吸杂时，金属杂质沉淀溶解的速率加快,但在多晶硅衬底里和在重磷扩散的区域内的分凝系数差别不大,使得溶解的杂质不能被全部有效地分凝吸杂到重磷扩散的区域,导致多晶硅体内的过渡族金属杂质重新形成更高密度的复合中心。

方阻均匀性：

依据以往的经验，罗列影响扩散方块的因子：温度、气流、