一文读懂Topcon多晶硅的绕度解决方法.docxVIP

在n型Cz-Si晶片上使用隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳能电池引起了光伏(PV)行业更多的兴趣。然而，电池遇到饶度和边缘漏电流的问题。这些现象会导致电池的光电性能下降，如开路电压(Voc)、短路电流密度(Jsc)和填充因子(FF)。

目前，LPCVD是光伏产业中用于沉积a-Si或多晶硅薄膜的最先进技术。该技术具有许多优点，如层的均匀性高、步长覆盖率好、重现性高，并且有可能原位生长所需的界面氧化层。该技术的缺点包括固有的双面沉积(环绕式)和相对较低的沉积速率(例如，在550?C下2.8nm/min，在615?C下8.3nm/min。特别是，环绕和边缘分流总是需要额外的处理步骤，例如用掩膜去除环绕和/或去除环绕的单面层，然后用干蚀刻或化学蚀刻或激光切割进行边缘隔离。然而，该协议与使用低成本和简化流程的工业实践不兼容。一种很有前途的方法是通过清理过程去除包裹层和边缘结层，以获得良好的光学和电气性能以及太阳能电池的稳定性。

采用三种不同的清洗工艺去除前面的包裹式多晶硅膜。优化后，可获得良好的银和硅丝网印刷之间的电学接触，以及低漏电流和良好的光学性能。研究了这些工艺对工业用TOPCon太阳能电池的包覆多晶硅层、光学性能、效率(Eff)、开路电压(Voc)、填充因子(FF)、串联电阻(Rser)和反向偏置结漏电流(IRev)的影响。此外，这些清洗过程的细节、工作原理和概括模型已经被概述和解决，以优化n+-多晶硅层、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、硅硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和纹理晶圆的蚀刻速率。

2，实验

下图显示了一个正面环绕的a-si层

?

n+-多晶硅层的非环绕层和环绕层之间出现了一条明亮的线。在本研究中，明亮的线被认为是BPSG。n+-多晶硅晶片正面包绕模型的横切面如图2(c)所示。磷掺杂后，BSG上的BPSG厚度面对面放置从边缘到中心区域逐渐减小。

在下一个清洗BSG/PSG清洗步骤中，有三个清洗过程对环向多晶硅层去除进行了研究，即标准清洗(工艺I)和改良清洗(工艺II和工艺III)，如图所示：

3，结果与讨论

3.1.I-V数据

过程I和过程II处理的太阳能电池在14.5V时，IRev值分别为3.43和12.09A。然而，在反向偏置下的EL图像(图4(a)和(b))显示，在太阳电池的外边缘有明显的分流(红色区域)。这些分流是由于发射极与后触点的分离不够。三种工艺的主要区别是去除环向多晶硅层的清洗方案(表1)。图5显示了三种不同条件制备的TOPCon电池的Voc、短路电流密度(Jsc)、FF、Eff和IRev值及其中值的曲图。工艺I的FF和Jsc值最低，而串联电阻(Rser)值最高(图5和表2)。与工艺I和工艺II相比，工艺III制备的TOPCon电池的Voc、Jsc、FF、IRev和Eff值更高。从盒图中显示的低标准偏差可以明显看出，使用过程III获得的电池的良好均匀性。因此，清洗工艺的新颖之处是采用内嵌式HF/HNO3和分批抛光溶液相结合的新工艺。

工艺I为碱性批处理工艺，具有一定的蚀刻边缘效应。硅的化学蚀刻可以用以下两个反应组成的简化机理来表示：

工艺I的IRev值小于工艺II的IRev值。在湿台装置中，富HNO3系统很容易形成SiOx;但由于后续反应，反应速率受HF的影响：

这种反应导致的腐蚀比单晶硅的碱性腐蚀更弱。

n+-多晶硅薄膜和BPSG/PSG/BSG可以通过工艺I和工艺II去除。然而，在大规模生产中，太阳能电池将有一些残余的包围n+多晶硅的边缘上，或破坏的n+多晶硅薄膜背面，或更高的IRev。然而，工艺III具有将HF/HNO3和KOH/polish添加剂溶液处理相结合的优点，不仅解决了光学问题，而且解决了电池的边缘漏电流问题。在大规模生产中，使用HF/HNO3溶液通过单面湿法蚀刻去除PSG和部分包绕的n+-多晶硅层。然后，KOH/抛光剂添加剂溶液可以在去除剩余的n+多晶硅和边缘结层在槽清洗机过程中保护氧化层。最后，HF溶液可以去除PSG和BSG。

3.2电池性能

HF/HNO3溶液对BPSG/PSG/bsgg的刻蚀率最高，因为HF溶液可以很容易地去除氧化层。

前驱体iVoc代表了样品的准稳态光电导技术(QSSPC)测量结果如下：缺口盒图表示iVoc中值的置信区间。工艺III处理后的太阳能电池iVoc值为713mV，收敛性较好。而工艺I和工艺II处理的电池iVoc值均小于工艺III处理的电池。工艺III处理的硅片由于加工窗口宽，钝化效果最好。因此，该工艺可以有效地去除环绕的多晶硅层。

3.3失效分析

图9显示了未移除和移除的环绕n+-多晶硅层的太阳能电池的照片。在清洗过程得到的太阳能电池边缘区域(I)有一些n+-多晶硅残留(图9(a))。尽管饶度的n+-多晶硅