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ICS31.080
CCSL40/49
团体标准
T/CASAS039—202X（征求意见稿）
SiCMOSFET单管功率器件短路可靠性测试
方法
Short-circuitreliabilitytestmethodforsiliconcarbidemetal-
oxide-semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）power
discretedevice
（征求意见稿）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASAS039—202X（征求意见稿）
目次
前言III
引言IV
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4测试对象2
5测试原理2
不同短路类型的测试原理2
5.1.1Ⅰ类短路测试原理2
5.1.2Ⅱ类短路测试原理3
5.1.3Ⅲ类短路测试原理4
不同测试目的的测试原理5
5.2.1短路耐受时间验证的测试原理5
5.2.2极限短路耐受时间测试的测试原理5
6测试条件5
测试环境条件5
测试安全条件5
7测试流程6
Ⅰ类短路的短路耐受时间验证测试流程6
Ⅰ类短路的极限短路耐受时间测试流程7
Ⅱ类短路的短路耐受时间验证测试流程8
Ⅱ类短路的极限短路耐受时间测试流程8
Ⅲ类短路的短路耐受时间验证测试流程9
Ⅲ类短路的极限短路耐受时间测试流程9
8数据记录和处理10
9测试报告10
附录A（资料性）功率器件短路可靠性测试记录表12
附录B（资料性）测试条件示例13
参考文献14
I
T/CASAS039—202X（征求意见稿）
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可
不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本文件的
内容需指明本文件的标准号。
本文件主要起草单位：
本文件主要
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