新解读《GB_T 20870.5 - 2023半导体器件第16 - 5部分：微波集成电路振荡器》最新解读.pptxVIP

新解读《GB_T 20870.5 - 2023半导体器件第16 - 5部分：微波集成电路振荡器》最新解读.pptx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

《GB/T20870.5-2023半导体器件第16-5部分：微

波集成电路振荡器》最新解读

一、微波集成电路振荡器的基础架构解析

（一）核心组件构成与功能

1.有源器件：微波集成电路振荡器中的有源器件，如晶体管，是产生振荡信号的关键。在GB/T20870.5-

2023标准下，对晶体管的性能要求更为严苛。以砷化镓（GaAs）晶体管为例，标准规定其需具备高电子迁移率，这能确保在高频下实现高效的电流控制，从而产生稳定且高频的振荡信号。在5G基站的微波振荡器应用中，

符合标准的GaAs晶体管可将振荡频率精准控制在指定的微波频段，保障信

与您一起学习交流工程知识

咨询Ta 进入空间

更多 >