第十章 光谱分析法导论.ppt

***在光谱仪上，谱线最终是被聚焦在光谱焦面上，以便进行检测。用线色散率表示更直观。线色散率：D=dl/d?表示两条谱线在焦面上被分开的距离对波长的变化率。线色散率越大，色散能力越强。

实际工作中常用倒数线色散率**反射光栅分为平面反射光栅（闪耀光栅）和凹面反射光栅。*****************10.2.5.2真空光电管vacuumphototube90VDCPowersupplyDCamplifierandreadoutCathodeR-+PhotonbeameWireanode（Ni）Vacuum阴极表面可涂渍不同光敏物质：高灵敏(K,Cs,Sb其中二者)、红外光敏(Na/K/Cs/Sb,Ag/O/Cs)、紫外光敏、平坦响应(Ga/As，响应受波长影响小)。产生的光电流约为硒光电池的1/10。优点：阻抗大，电流易放大；响应快；应用广。缺点：有微小暗电流（Darkcurrent，K的放射线激发）。*10.2.5.3Photomultipliertubes（PMT）在光照射下，阴极发射的电子在高真空中被电场加速并向第一打拿极运动。当电子飞向第一个打拿极上时，每一个入射电子将平均使打拿极表面发射出几个电子，这就是二次发射过程。然后二次发射的电子又被加速并向第二打拿极运动，电子数目再次被二次发射过程倍增。此过程多次重复，最后电子被收集在阳极上。光电倍增管检测器大大提高了仪器测量的灵敏度。光电倍增管适用的波长范围为160－700nm**10.2.5.4光电二极阵列检测器(photodiodedetectorarrays,PDAs）SiO2windowptypeSi0.025mm2.5mmntypeSipnpnpnpnpnpnSideviewtopviewhν说明：在一个硅片上，许多pn结以一维线性排列，构成“阵列”；每个pn结或元（element，64-4096个）相当于一个硅二极管检测器；硅片上布有集成线路，使每个pn结相当于一个独立的光电转换器；硅片置于分光器焦面上，经色散的不同波长的光分别被转换形成电信号；实现多波长或多目标同时（simultaneously）检测。PDA在灵敏度、线性范围和S/N方面不如光电倍增管。Depletionlayer电荷转移检测器(charge-transferdetectors）电荷转移元件阵列（CTDs）检测器单元是通过硅半导体基体吸收光子产生流动的电荷，然后转移、收集，并进行放大及检测。CTD检测器根据所利用的电荷测量模式不同可分为电荷注入元件（CID）检测器和电荷偶合元件（CCD）检测器在CID阵列中，单个检测器单元是用n-型硅半导体材料作基体，该材料多数载流子是电子，少数载流子是空穴，而检测器收集及检测的是光照产生的空穴在CCD阵列中，单个检测器单元是用p-型硅半导体材料作基体，该材料多数载流子是空穴，少数载流子是电子，而检测器收集及检测的是光照产生的电子*电荷转移检测器(charge-transferdetectors）结构：pn结上覆盖一层绝缘体SiO2，其上有两个多晶硅电极。这样左右相当于各有一个电容器。工作原理：a.左右两电极上各加一个负电压，左小右大，这样在SiO2下产生电位阱，当光照射后，产生电子和空穴，电子向pn结的p结，空穴被电位阱所收集；b.移去左负电压，并测定其电容器上的电动势V1；c.右电极加正电压，空穴向左移动，并测定其上的电动势；V2，V1-V2即相应于由光辐射产生的电荷积累；d.左右都加上正电压，空穴移向pn结，并与电子复合。**CID与CCD的比较CTDCIDCCD结构N型硅半导体P型半导体双电极三电极反向偏置电容正向偏置电容电荷形成、聚集及迁移过程收集并聚集空穴收集并聚集电子电子移向N层空穴移向P层改变双电极电位使空穴移动，从而测量光致电位差以三相时钟步进方式使电荷移至高速存贮器逐行扫描光致信号测量方式对弱光灵敏性较差对弱光更灵敏可在电荷积聚过程中连续测量电荷被移至放大器进行测量与PDA相比，CTD最大的优势在于其二维特性，可作为影像检测器，在电视及航空等领域有广泛应用。红外线检测器热检测器(Thermaldetectors)利用红外线的热能使得检测器的温度发生改变，从而导电性发生变化，此时通过测量电阻来衡量红外信号的强弱热电检测器（Pyroelectricdetectors）