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课程小结:一、气体动、热力学1.理想气体模型及平衡态2.理想气体状态方程:3.压强公式:温度公式:方均根速率:
4.三种分子速率:▲功W:5.平均碰撞频率:平均自由程:6.三个过程参量:
▲热量Q:▲内能增量△E:定体过程:定压过程:等温过程:7.绝热过程:
绝热过程的功:7.卡诺循环:8.热力学第二定律表述(略);熵增加原理(略)。
电通量:二、静电场及静电场中的导体与电介质1.库仑定律2.电场强度及叠加原理:或常见带电体的电场强度分布(略)!!3.电场线模型:电场线密集的地方E大。
4.高斯定理:掌握球对称、柱对称、面对称场分布特点及计算!!5.电势、电势能及电势差(Vb=0电势零点)电势:电势能:电势差:掌握常见的带电体的电势分布:如均匀带电球面、均匀带电柱面等。电场力作功:
6.E、V关系:电场线与等势面处处垂直。电势梯度指向电势升高的方向;电场强度指向电势降低的方向。三类问题:球/板/柱类导体存在时E、V计算。7.静电场中的导体静电平衡条件及特点(略);导体表面处电场强度:有导体存在时的q、E、V计算:静电屏蔽;
8.静电场中的电介质电极化强度:极化电荷面密度:D的高斯定理:由自由电荷的分布介质中D、E关系:介质中场问题的计算:
9.电容孤立导体的电容:电容器的电容:常见的电容器的电容:
10.电场能量及电容器储能静电场能量密度:静电场能量:电容器储能:三、稳恒电流、稳恒磁场及磁介质1.稳恒电流微分形式的欧姆定律:或
2.稳恒磁场毕-萨定律:方向?掌握常见载流导体的磁场强度分布!!如∞载流直导线、∞载流圆柱导体(圆柱壳)、载流园线圈、载流圆弧、螺线管、螺绕环等。磁感应线:线密度∝B的大小磁通量:安培环路定理:
洛沦兹力:霍尔效应:(会由I的B方向EH方向....!)安培定律:磁力矩:其中(磁偶极矩或磁矩)3.磁介质顺磁质:介质内BB0;抗磁质:介质内BB0;
铁磁质:介质内BB0;磁化强度:M与磁化电流的关系:H的安培环路定理:H、B、M间的关系:
例如图所示,一定量的理想气体,从A态经历绝热自由膨胀到达B态,已知DV=1/2,试分析DP、DT和DS是大于、小于还是等于零?A态真空T1T2B态解:E1=E2热一律器壁绝热:Q=0向真空膨胀:W=0由状态方程知:△P<0∵AB过程为孤立系统自然过程∴由熵增加原理知:△S>0TheEndT1=T2,△T=0
例球形电容器内外半径分别为R1、R2,其间充满相对介电常数为er的各相同性均匀电介质。电容器接在电压为U的电源上。试求R处(R1RR2)的A点的电场强度及A点与外球壳间的电势差。解:设内金属球带+Q电量,则则电容器内部场强:
例球形电容器内外半径分别为R1、R2,其间充满相对介电常数为er的各相同性均匀电介质。电容器接在电压为U的电源上。试求R处(R1RR2)的A点的电场强度及A点与外球壳间的电势差。A点与外球壳间的电势差为:TheEnd
例如图,两柱形电容器(内为真空)长皆为l(R),R1=4R/9、R2=2R/3。空气击穿场强为3×106V/m。今使内柱体电荷渐增,则(1)系统何处首先被击穿?此处场强为多少?(2)击穿时两电容器内柱体所带的总电荷Q为多少?解:(1)设两电容器内圆柱体单位长度分别带电?1、?2,则R2RRR1C1C2C1:
C2:由图知:U1=U2,则R2RRR1C1C2例如图,两柱形电容器(内为真空)长皆为l(R),R1=4R/9、R2=2R/3。空气击穿场强为3×106V/m。今使内柱体电荷渐增,则(1)系统何处首先被击穿?此处场强为多少?(2)击穿时两电容器内柱体所带的总电荷Q为多少?
C1内:C2内:例如图,两柱形电容器(内为真空)长皆为l(R),R1=4R/9、R2=2R/3。空气击穿场强为3×106V/m。今使内柱体电荷渐增,则(1)系统何处首先被击穿?此处场强为多少?(2)击穿时两电容器内柱体所带的总电荷Q为多少?R2RRR1C1C2
则:即E1maxE2max,C2内柱体表面先被击穿,击穿时此处场强:(2)例如图,两柱形电容器(内为真空)长皆为l(R),R1=4R/9、R2=2R/3。空气击穿场强为3×106V/m。今使内柱体电荷渐增,则(1)系统何处首
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