dToF相机传感器封测知识关于失效分析.pdfVIP

失效分析是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及，它

一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效

的原因，挖掘出失效的机理的活动。在提高产品质量，技术开发、改进，产品

修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。

失效分析流程

失效分析概论

1.基本概念

·

失效——产品丧失功能或降低到不能满足规定的要求。

·

失效模式——电子产品失效现象的表现形式。如开路、短路、参数漂移、不稳

定等。

·

失效机理——导致失效的物理化学变化过程，和对这一过程的解释

·

应力——驱动产品完成功能所需的动力和产品经历的环境条件，是产品退化的

诱因。

2.失效分析的定义和作用

·

失效分析是对已失效器件进行的一种事后检查。使用电测试以及先进的物理、

金相和化学的分析技术，验证所报告的失效，确定试销模式，找出失效机理。

·

根据失效分析得出的相关结论，确定失效的原因或相关关系，从而在产生工艺、

器件设计、试验或应用方面采取纠正措施，以消除失效模式或机理产生的原因，

或防止其再次出现。

主要失效模式及机理

1.失效模式

失效模式就是失效的外在表现形式。

·

按持续性分类:致命性失效、间歇失效、缓慢退化。

·

按失效时间分:早期失效、随机失效、磨损失效。

·

按电测结果分:开路、短路或漏电、参数漂移、功能失效。

·

按失效原因分:电应力(EOS)和静电放电(ESD)导致的失效、制造工艺不良导致

的失效。

2.失效模式及分布

失效机理

1.过应力失效

·

电过应力——电源输出输入的电源、电压超过规定的最大额定值。

·

热过应力——环境温度、壳温、结温超过规定的最大额定值。

·

机械过应力——振动、冲击、离心力或其他力学量超过规定的最大额定值。

2.CMOS电路闩锁失效

·

条件——在使用上(Vl;VO)VDD或(Vl;VO)VSS;或电源端到地发生二次击穿。

·

危害——一旦导通电源端产生很大电流，破坏性和非破坏性。

·

失效特点——点现象，内部失效判别。

3.ESD失效机理

静电放电给电子元器件带来损伤，引起的产品失效。

·

过电压场致失效——放电回路阻抗较高，元器件因接受高电荷而产生高电压导

致电场损伤，多发生于电容器件。

·

过电流热致失效——放电回路阻抗较低，元器件因放电期间产生强电流脉冲导

致高温损伤，多发生于双极器件。

4.金属腐蚀失效

·

当金属与周围介质接触时，由于发生化学反应或电化学作用而引起金属腐蚀。

·

电子元器件中，外引线及封装壳内的金属因腐蚀而引起电性能恶化直至失效。

·

腐蚀产物形貌观察和成分测定对失效分析很有帮助。

5.银离子迁移

·

银离子迁移是一种电化学现象，在具备水份和电场的条件时发生。

6.金铝化合物失效

·

金和铝键合，在长期储存和使用后，金铝之间生成

AuAl，AuAl，AuAl，AuAl，AuAI等金属间化合物(IMC)。

22524

·

这些IMC的物理性质不同，电导率较低。AuAl呈紫色，俗称紫斑；

2

AuAl，AuAI呈浅金黄色，俗称黄斑；AuAl呈白色，俗称白斑。

5242

·

键合点生成金铝化合物后，键合强度降低、变脆开裂、接触电阻增大，器件出

现性能退化或引线从键合界面处脱落导致开路。

7.柯肯德尔效应

·

金铝键合系统中，若采用Au丝热压焊工艺，由于高温，金向铝中迅速扩散，在

金层一侧留下部分原子空隙，这些原子空隙自发聚积，在金属间化合物与金属

交界面上形成了空洞，这称为柯肯德尔效应。

·

当柯氏效应（空洞）增大到一定程度后，将使键合界面强度急剧下降，接触电

阻增大，最终导致开路失效。

8.金属化电迁移

·

在外电场作用下，导电电子和金属离子间相互碰撞发生动量交换而使金属离子

受到与电子流方向一致的作用力，金属离子由负极向正极移动，这种作用力称

为“电子风”。

·

对铝、金等金属膜，电场力很小，金属离子主要受电子风的影响，使金属离子

朝正极移动，在正极端形成金属离子的堆积形成小丘，而在负极端生产空洞，

使金属条断开。

9.“爆米花效应”(分层效应)

“爆米花效应”是指塑封器件塑封材料内的水份在高温下受热发生膨