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新解读《GB_T 43313 - 2023碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》最新解读.pptxVIP

新解读《GB_T 43313 - 2023碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》最新解读.pptx

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    《GB/T43313-2023碳化硅抛光片表面质量和微管密

    度的测试共焦点微分干涉法》最新解读

    一、标准出台背景与意义

    （一）碳化硅材料在半导体领域的崛起

    随着半导体技术的不断演进，对高性能材料的需求愈发迫切。碳化硅凭借其卓越的物理性能，如宽禁带、高击穿电场、高热导率等，在高功率、高频以及高温等极端条件下的应用优势显著。尤其是在新能源汽车的功率模块、5G通信基站的射频器件等关键领域，碳化硅器件正逐渐取代传统硅基器件，成为推动行业发展的关键力量。例如，在新能源汽车中，使用碳化硅功率模块能够显著提升车辆的续航里程和充电效率，降低能源损耗。

    （二）质量检测对碳化硅抛光片

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