SiC CMP抛光垫，全球前4强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.pdfVIP

全球市场研究报告

SiCCMP抛光垫全球市场总体规模

化学机械抛光/平坦化（CMP）是一种通过化学作用与机械研磨相结合的材料表面处理工艺，用于获得超高

平整度的光滑表面。该工艺在半导体行业被广泛运用于集成电路和存储磁盘的制造——当以材料去除为主

要目的时称为化学机械抛光（Chemical-MechanicalPolishing），而以表面平整化为核心目标时则称为化学

机械平坦化（Chemical-MechanicalPlanarization）。由于该工艺同时涉及摩擦学与腐蚀化学的协同效应，因

此也被视为典型的摩擦化学过程。CMP抛光垫正是通过物理研磨与化学反应协同作用来平滑晶圆表面，从

而提升半导体集成度的关键耗材。

碳化硅（SiC）CMP抛光垫是专为碳化硅晶圆化学机械平坦化工艺设计的特种抛光垫。在半导体制造中，CMP

工艺对确保沉积材料层的均匀分布至关重要，这对于采用碳化硅材料（因其卓越的导热性和电学特性）的高

性能功率半导体器件尤为关键。由于碳化硅晶圆硬度更高、加工难度更大，这类抛光垫需采用聚氨酯等兼具

硬度与柔韧性的特殊材料制成，并能与CMP工艺中的特定抛光液协同工作。

SiCCMP抛光垫的核心功能是实现晶圆表面的无损平坦化，其通过优化设计的表面结构和材料配方，在应对

碳化硅极高硬度的同时，确保加工表面缺陷最小化，从而为功率电子器件、高频器件等高端应用提供高质量

的碳化硅基片。该技术突破使得碳化硅材料在电动汽车、5G通信等新兴领域的大规模应用成为可能。

图.SiCCMP抛光垫产品图片

资料来源：第三方资料及QYResearch整理研究，2024年

碳化硅（SiC）化学机械平坦化（CMP）抛光垫市场正随着电动汽车、可再生能源及5G基础设施对SiC功率

器件的爆发式需求而快速发展。以下是塑造SiCCMP抛光垫未来发展的关键行业趋势：

2024年全球SiCCMP抛光垫市场规模为4797万美元，预计到2031年将增长至2.04亿美元，2025-2031

年复合年增长率达17.15%。作为新一代功率电子器件的关键制程材料，该市场呈现出独特的竞争格局与技

术挑战。

Copyright©QYResearch|market@|

全球市场研究报告

目前中国市场化企业尚未取得国外认证，暂时无法实现出口，主要因下游客户集中于日本、台湾、韩国、欧

美等地区。虽然电子产业主要集中在亚太区，但当前政治局势不容乐观，今年可能是中国过去30年面临政

治危机最严峻的一年。鉴于当前贸易摩擦和中国国际政治环境，这将成为国内SiCCMP抛光垫厂商抢占市

场的最佳窗口期，未来几年国家政策投入必将加大，因此中国企业将在未来几年迎来国产化机遇。我们预

测，湖北鼎龙等企业可能通过主动降价策略疯狂抢占市场份额。

当前考虑到成本因素以及硅片尺寸对集成电路性能和效率的影响，晶圆尺寸增大已成为必然趋势和主流方

向，特别是8英寸和12英寸晶圆。未来可能向18英寸方向发展。但尺寸越大，对应CMP抛光垫的生产难

度越高。当下游大尺寸化成为必然趋势时，企业必须开发大尺寸抛光垫才能避免被市场淘汰。随着对集成电

路性能提升的预期，CMP抛光垫的抛光性能要求将不断提高，未来其性能标准必然更加严苛。

全球SiCCMP抛光垫核心企业包括杜邦、富士纺、Entegris、IVTTechnologies等，2024年前三大厂商收入

占比达90.64%。该领域新进入者需要巨额资金投入，小型企业难以进入。SiCCMP抛光垫对技术水平和加

工工艺要求极高，目前市场被美国企业主导。市场竞争不仅受价格影响，更取决于产品性能——领先企业在

性能优势、产品种类、技术储备及售后服务方面具有综合优势，因此占据高端市场主要份额。未来几年，各

品牌价格差距将逐步缩小，毛利率也将出现波动。

对于已进入的制造商而言，需要持续抬高技术门槛阻止更多企业进入；通过降低成本、压低价格快速抢占市

场，开拓增量客户群体并建立市场份额优势；打造品牌形象，为进入消费品市场奠定基础。唯有如此，才能

在激烈竞争中占据更大的资本市场份额。

图.SiCCMP抛光垫，全球市场总体规模

全球规模(百万美元),2024VS2031

2024