2025年通信电子计算机技能考试-半导体芯片制造工考试近5年真题集锦（频考类试题）带答案.docx

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2025年通信电子计算机技能考试-半导体芯片制造工考试近5年真题集锦（频考类试题）带答案

第I卷

一.参考题库(共80题)

1.半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。

2.迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

3.热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

4.离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

5.为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？

6.单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。（）

7.例举硅片制造厂房中的7种玷污源。

8.可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）

9.离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

A、能量

B、剂量

10.器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

A、掩膜版

B、扩散

C、光刻

11.半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。

12.塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。

A、准备工具

B、准备模塑料

C、模塑料预热

13.光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

A、刻制图形

B、绘制图形

C、制作图形

14.分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。

15.为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

16.在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？

17.什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

18.分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。

19.干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

20.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

21.在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？

22.粘封工艺中，常用的材料有哪几类？

23.恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

A、高斯

B、余误差

C、指数

24.为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？

25.名词解释：high-k；low-k；Fabless；Fablite；IDM；Foundry；Chipless。

26.钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。

27.简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？

28.解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

29.硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？

30.例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

31.热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？

32.操作人员的质量职责是什么？

33.解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

34.根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？

35.非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。

A、小于0.1mm

B、0.5～2.0mm

C、大于2.0mm

36.介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。

A、多晶硅

B、氮化硅

C、二氧化硅

37.化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

38.变容二极管的电容量随（）变化。

A、正偏电流

B、反偏电压

C、结温

39.洁净区工作人员应注意些什么？

40.叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

41.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

42.杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

43.对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。

44.门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）

45.解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？

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