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I2CBus与SMBus间技术差异

前言：

关于I2C与SMBus，许多人很少去谈论与了解两者的细节差异，包括很多国外的简报，文章也经常将两者混写、交杂描述、交替运用。

确实，在一般运用下，I2CBus与SMBus没有太大的差异，从实际接线上看也几乎无差异，甚至两者直接相连多半也能相安无误地正确互通并运作。不过假设真要仔细探究，其实还是有诸多不同，如果电子设计工程师不能明辨两者的真实差异，那么在日后的开发设计的验证纠错阶段必然会产生困扰，为此本文将从各层面来说明I2CBus与SMBus的细微区别，期望能为各位带来些许帮助。

我写这篇文章，可以理解为郭長祐先生博客中相关文章的读书笔记，我可没有那么高的造诣,关于I2CBus的根底，可参考先生之前的「I2C界面之线路实务」，网址为:

当然也可以去参考Philips半导体网站的I2C官方规格：

运用背景、版本演进之别

首先从规格的制订背景开始，I2C是在设计电视应用时所研发的界面，首版于1992年发表；而SMBus〔SystemManagementBus〕那么是Intel与Duracell〔金顶电池〕共同制订笔记本电脑所用的智能型电池〔SmartBattery〕时所研发的接口，首版于1995年发表，不过SMBus文件中也提及，SMBus确实是参考自I2C，并以I2C为根底所衍生成。

I2C起源于电视设计，但之后朝通用路线开展，各种电子设计都有时机用到I2C；而SMBus那么在之后为PC所制订的先进组态与电源管理接口〔AdvancedConfigurationPowerInterface；ACPI〕标准中成为根底的管理讯息传递接口、控制传递接口。

虽然I2C与SMBus先后制订时间不同，但都在2000年左右进入成熟化改版，I2C的过程改版以加速为主要诉求，而SMBus以更切合SmartBattery及ACPI的需求为多。

I2C三次主要改版：

1992年v1.0

1998年v2.0

2000年v2.1

SMBus三次主要改版：

1995年v1.0

1998年v1.1

2000年v2.0

▲图例：MAXIM公司的MAX6641芯片，具有温度监督及风扇控制功能〔用PWM脉宽调变方式控制风扇转速〕，图中脚位7、8即是SMBus〔圈处〕，其他装置可透过SMBus与此芯片沟通，取得温度及相关信息，或进行命令操控。〔图／MAXIM-IC〕

电气特性差异：逻辑电平定义、限流、相关限制

I2C的Hi/Lo逻辑电平有两种认定法：相对认定与绝对认定，相对认定是依据Vdd的电压来决定，Hi为0.7Vdd，Lo为0.3Vdd，绝对认定那么与TTL准位认定相同，直接指定Hi/Li电压，Hi为3.0V，Lo为1.5V。相对的SMBus只有绝对认定，且电平与I2C有异，Hi为2.1V，Lo为0.8V，与I2C不全然吻合但也算局部交集。

不过，SMBus后来也增订一套更低电压的电平认定，Hi为1.4V，Lo为0.6V，这是为了让运用SMBus的装置能更省本钱的作法。

了解电压后再来是电流，由于SMBus一开始就是运用在笔记本电脑内，所以省电的表现优于I2C，只需100uA就能维持工作，I2C却要到3mA同样的低用电特性也反响在漏电流〔LeakageCurrent〕的要求上，I2C最大的漏电流为10uA，SMBus为1uA，但是1uA似乎过度严苛，使运用SMBus的装置在验证测试时消耗过多的本钱与心力，因此之后的SMBus1.1版放宽了漏电流上限，最高可至5uA。

再者是相关限制，I2C有线路电容的限制，SMBus却没有，但也有相类似的配套标准，即是电平下拉时的电流限制，当SMBus的集电极开路Pin导通而使线路接地时，流经接地的电流不能高于350uA，另上电流〔即相同的集电极开路Pin开路时〕也一样有标准，最小不低于100uA，最高也是不破350uA的。

既然对电流有限制，那么也可容易地推断对上拉电阻的阻值之范围要求，I2C在5VVdd时当大于1.6kohm，在3VVdd时当大于1kohm，类似的SMBus于5VVdd时当大于14kohm，3VVdd时当大于8.5kohm，不过这个定义并非牢不可破，就一般实务而言，在SMBus上也可用2.4k?3.9kohm范畴的阻值。

附注：I2C的时钟线称SCK或SCL，数据线称SDA。SMBus的时钟线称SMBCLK，数据线称SMBDAT。

▲图说：I2C与SMBus在逻辑位准的电压定义不尽相同，根本上I2C的定义较为宽裕、弹性，而SMBus那么更专注在省电方面的要求。〔图／MAXIM-IC〕

时序差异与考验

物理层面的空间要求完后，再来就是物理层面的时间，即是时序〔Timing