半导体物理第五章教材.pptxVIP

第五章非平衡载流子*处于热平;半导体的热平衡状态是相对的，有;非平衡载流子的注入与复合01非;本章重点非平衡载流子的产生、复;5.1非平衡载流子的注入与复;1.光注入*;非平衡载流子浓度的表示法;小注入情况下，非平衡少子浓度可;非平衡时的附加电导;无标题;产生非平衡载流子的外部作用撤除;热平衡不是绝对静止的状态。就半;光照停止时，半导体中仍然存在非;掺杂、改变温度和光照激发都可以;一、寿命的概念5.2非平衡载;与Δp(t)无关设一束光在一块;寿命是重要的结构灵敏参数非平衡;二、寿命的意义*寿命标志非平衡;三、寿命的测量方法*;一、热平衡状态5.3准费米能;二、非平衡状态*准费米能级当半;2.载流子浓度*;3.准费米能级的位置*由上式可;一般在非平衡态时，往往总是多数;EFn和EFp偏离的大小直接反;5.4复合理论*由于半导体内;一、复合类型*1电子和空穴通过;无标题;非子复合时释放能量的方式非平衡;三、直接复合(禁带宽度越小，直;能带角度-价带电子(二)产生;直接净复合率Ud复合率减去产生;*(四)直接复合非平衡载流子;1.小注入情况*;2.大注入情况*;四、间接复合*非平衡载流子通过;在两步复合过程中，共有四个微观;对以上四个微观过程作确切定量的;(一)电子俘获与发射*力的大;2.发射电子*复合中心能级Et;电子俘获和发射互逆过程的内在联;费米能级EF与复合中心能级Et;(二)空穴俘获与发射*1.俘;2.发射空穴*;空穴俘获和发射互逆过程的内在联;费米能级EF与复合中心能级Et;表示单位体积、单位时间导带减少;非平衡载流子的净复合率为：也适;该公式是通过复合中心复合的普遍;间接复合非平衡载流子的寿命寿命;1.n型半导体*设复合中心能级;强n型区心对少数载流子空穴的俘;(2)高阻区*表明寿命与多子;2.p型半导体*设复合中心能级;(1)强p型区*”表明复合中;(2)高阻区*表明寿命与多子;(五)有效复合中心*;对于一般的复合中心，令：可得：;当Et=Ei时，U取极大值；故;(六)俘获截面*设想复合中心;复合中心的俘获截面约为10-1;(七)金在Si中的复合作用(;在p型Si中，Au能级基本上是;效复合中心能大大缩短少子寿命，;例题1：某p型半导体掺杂浓度为;解：（1）无光照时，空穴浓度为;*（2）光照后，产生的非平衡载;五、表面复合*表面复合是指在半;面，较高的表面复合速度，会使更;半导体样品的形状和表面状态在很;(二)表面复合率Us*表面复;可将表面复合当作靠近表面的一个;(三)寿命τ是“结构灵敏”的;(一)定义六、俄歇复合*载流;(二)各种俄歇复合过程(必须;况下起着重要作用；一般来说，带;1.复合率*带间俄歇复合(如上;无标题;产生率下图(a)、(b)过程分;无标题;无标题;净复合率热平衡时产生率等于复合;该公式是非简并情况下俄歇复合的;即复合率正比于非平衡载流子浓度;5.5陷阱效应*;以与导带和价带中非平衡载流子数;陷阱分类：*陷阱分类：电子陷阱;有效陷阱中心的能级Et靠近费米;5.6载流子的扩散运动*由于;非平衡载流子的扩散;一、扩散定律*扩散1定律2扩散;空穴扩散系数Dp：反映了非平衡;由表面注入的空穴，不断向样品内;恒定光照下达到稳定扩散，二者相;下面讨论两种不同情况下该解的具;(一)样品足够厚*;非平衡载流子复合前扩散进半导体;空穴扩散速度vdp表明向内扩散;样品厚度为W，且在样品另一端将;无标题;表明非平衡载流子浓度在样品内呈;电子的扩散定律和稳态扩散方程电;四、载流子的扩散电流密度载流子;三维情况下空穴的扩散运动扩散定;010203载流子的扩散电流密;logo载流子的漂移运动爱因;(二)载流子的扩散运动和漂移;无标题;爱因斯坦关系式考虑一维情况下，;载流子的漂移电流密度电离杂质是;爱因斯坦关系式因为在平衡条件下;半导体内部出现电场后，其中各处;因此，考虑电子能量时，须计入附;求导得：同理，对于空穴可得：这;爱因斯坦关系式表明了非简并情况;电流密度方程式利用爱因斯坦关系;5.8连续性方程式*;方程式右边各项的物理意义：*第;无标题;连续性方程应用稳态连续性方程;无标题;表示空穴在电场作用下，在寿命τ;其中的λ1、λ2为下面方程的两;无标题;表明非平衡少数载流子浓度随x按;表明电场很强，扩散运动可以忽略;即忽略电场影响时，方程式变成稳;(二)光激发载流子的衰减*;无标题;*作业5.8