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操作前要对机械设备进行安全检查,要确定正常后方可投入使用.电荷耦合器件（ChargeCoupleDevice，简称CCD）是一种金属氧化物半导体（MOS）集成电路器件。它以电荷作为信号，基本功能是进行电荷的存储和电荷的转移。CCD自1970年问世以来，由于其低噪声等特点而发展迅速，广泛应用于在微光电视摄像、信息存储和信息处理等方面。5.2.7电荷耦合器件CCD的结构和工作原理结构构成CCD的基本单元是MOS电容器，如图所示。这样一个MOS结构称为一个光敏元或一个像素。01MOS电容的结构02金属2.SiO2绝缘层03将若干个MOS基本单元组成阵列并加上输入、输出结构就构成了CCD器件。04(2)电荷存储原理构成CCD的基本单元是MOS电容器。与其它电容器一样，MOS电容器能够存储电荷。如果MOS电容器中的半导体是P型硅。当在金属电极上施加一个正电压Vg时，P型硅中的多数载流子（空穴）受到排斥，半导体内的少数载流子（电子）吸引到P-Si界面处来，从而在界面附近形成一个带负电荷的耗尽区，也称表面势阱。对带负电的电子来说，耗尽区是个势能很低的区域。光电广泛应用于工业控制、自动化包装线及安全装置中作光控制和光探测装置在一定的条件下，所加正电压Vg越大，耗尽层就越深，势阱所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。如果有光照射在硅片上，在光子作用下，半导体硅产生了电子-空穴对，光生电子被附近的势阱所吸收，而空穴被排斥出耗尽区。势阱内所吸收的光生电子数量与入射到该势阱附近的光强成正比。CCD器件基本结构是一系列彼此非常靠近的MOS光敏元，这些光敏元使用同一半导体衬底；氧化层均匀、连续；相邻金属电极间隔极小。任何可移动的电荷都将力图向表面势大的位置移动。01为了保证信号电荷按确定的方向和路线转移，在MOS光敏元阵列上所加的各路电压脉冲要求严格满足相位要求。02（3）电荷转移原理（4）电荷注入方法光注入光照η-材料的量子效率；q-电子电荷；Neo-入射光子速率；A-光敏元的受光面积；Tc-注入时间。电注入ID-注入电极（输入二极管）；IG-选通脉冲电极（输入栅）。0102（5）电荷的输出01UA＝UD-Id·R02电流输出方式2.CCD固体图像传感器的分类（1）线阵型CCD图像传感器转移栅光敏单元不透光输出移位寄存器结构特点：光敏单元与转移单元一一对应。工作特点：转移效率低。单沟道转移栅光积分单元输出移位寄存器1移位寄存器2结构特点：单/双数光敏元件中分别对应上/下方的移位寄存器；工作特点：转移效率提高一倍。双沟道结构特点：光敏区和存储区分开，存储区负责电荷的存储和转移。01工作特点：曝光和数据传输可以同时进行。02面型CCD图像传感器03面型CCD图像传感器由感光区、信号存储区和输出寄存器三部分组成。目前存在三种典型结构形式。04帧转移型05全帧扫描型结构特点：光敏区和存储区在同一区域。工作特点：曝光和数据传输必须分开进行。即曝光时不能转移电荷，转移电荷时不能曝光，必须用快门遮挡。结构特点：光敏单元和存储单元相邻；工作特点：曝光和数据传输可以进行。行间传输型0102分辨率分辨率是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力，是图像传感器最重要的特性之一，主要取决于感光单元之间的距离。单位照度下，单位时间、单位面积发射的电量称为CCD传感器的灵敏度。CCD传感器能分辨的最强光信号与最弱光信号强度之比。的动态范围一般在103～104数量级。灵敏度动态范围暗电流在无光照情况下CCD传感器的输出电流称为暗电流。暗电流起因于热激发产生的电子-空穴对，是缺陷产生的主要原因。光信号电荷的积累时间越长，其影响就越大。暗电流的产生不均匀，在图像传感器中出现固定图形，暗电流限制了器件的灵敏度和动态范围。噪声CCD是低噪声器件，但由于其他因素产生的噪声会叠加到信号电荷上，使信号电荷的转移受到干扰。噪声的来源有转移噪声、散粒噪声、电注入噪声、信号输入噪声等。噪声CCD是低噪声器件，但由于其他因素产生的噪声会叠加到信号电荷上，使信号电荷的转移受到干扰。噪声的来源有转移噪声、散粒噪声、电注入噪声、信号输入噪声等。5.3光电传感器的应用晶闸管5.3.1灯光亮度自动控制器输出脉冲宽度反比于环境光照度，从而达到改变晶闸管导通角的目的。01025.3.2光电转速传感器231(a)透射式—光电数字式转速表工作原理图231(b)反射式邮政信函过戳装置