华东师范半导体物理考研试题.pdfVIP

华东师范大学共2页

2003年攻读入学试题

考试科目：揩体物趣

招生专业：然应力争肯阂申电力中

（每题4分，共36分）

本征间接带隙迁移率

爱因斯坦关系式热电子有效质量

少数载流子理想MIS结构整流接触

二、简答题（每题6分，共60分）\

1.画图表示金属、、绝缘体最夕%警

2.简述硅材料中载流子散射的的中

随温度升高，载流子迁移号

3.举例说明哪些杂质在料中引入深能级对材料特

性有什么影响？

4,为什么硅器件作温度？

s.什么叫欧姆接论上，姆接触的方法，实际集戊电路工艺中一

般采用哪些方崂

。•定性分析掺正电阻率随温度的变化趋势，并说明。

7,区别雪崩m击穿机制的不同，并说明双极晶体管中的结击穿多数表

现为雪崩击穿的。

8.分析杂质完全电离的P型其能级随温度变化。

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9.解释碎PN结的反向电流随反向电压增加而增大的原IM.

10.在忽略界面态影响的情况下，可以用什么实验测量MIS结构氧化层中固定

电荷与可动电荷面密度,分析其实验原理。

三、计算题及叙述题（每题9分，共54分）

I,掺磷的n型.碎，已知磷的电离能为0.044ev,求室温卜杂质•半电离时

能级的位置和磷的浓度。

2.设的空穴浓度是线性分布，在3口内浓度差为r\U

p=400cm2/V•S,求空穴扩散电流密度。

3.设MIS结构氧化层中电荷呈三角形分布，且金附近高,的情况

下，M1S结构平带电压的变化。（假定单刃2cm汽

氧化层厚度均为0.3口m,£『3.9）

4.现有两块外观完全相同的硅单硅，另一块是含

有杂质并完全补偿的硅。并说明实验原理。

5.说明直接复合和间接号掺金工艺能有效降低少数

载流子的？

6.画图表示理想MIS鼎体为强反型时的能带图。分析在实际

NMOS器件中，影响要因素。

题目中可能用到的常意

株138x1产J/K,q-16xlO19C,e0=8854x1012F/m

室温M料/UNc=2,8x10l9cm\iii=l5xlOlo/cm_,

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