计算机组成原理(第2版)课件第4章存 储 器.pptVIP

表4.6（7，4）循环码的出错模式（生成多项式G(x)=1011）N1N2N3N4N5N6N7余数出错位正确1100010000无错误11000110017110000001061100110100511010100114111001011031000010111201000101011更换不同的待测码字可以证明：余数与出错位的对应关系是不变的，只与码制和生成多项式有关。因此表2给出的关系可作为G(x)=1011的(7,4)码的出错判别依据。对于其他码制或选用其他生成多项式，出错模式将发生变化。如果循环码有一位出错，用G(x)作模2除将得到一个不为0的余数。如果对余数补0继续除下去,我们将发现一个有趣的结果：各次余数将按表2中的内容顺序循环。例如第七位出错，余数将为001，补0后再除，第二次余数为010，以后依次为100，011，…,反复循环。这是一个有价值的特点。如果我们在求出余数不为0之后,一边对余数补0继续做模2除，同时让被检测的校验码字循环左移。表4.6说明,当出现余数(101)时,出错位也移到N1位置。可通过异或门将它纠正后在下一次移位时送回N7。继续移满一个循环(对7,4码共移七次)，就得到一个纠正后的码字。这样就不必像海明校验那样用译码电路对每一位提供纠正条件。当数据位数增多时，循环码校验能有效地降低硬件代价，这是它得以广泛应用的主要原因。（3）关于生成多项式并不是任何一个r＋1位的多项式都可以作为生成多项式。从检错及纠错的要求出发,生成多项式应能满足下列要求:(1)任何一位发生错误都应当使余数不为0；(2)不同位发生错误应当使余数不同；(3)对余数继续作模2除,应使余数循环。五、光盘存储器1.概述采用光存储技术采用非磁性介质采用磁性介质第一代光存储技术第二代光存储技术不可擦写可擦写2.光盘的存储原理只读型和只写一次型可擦写光盘热作用（物理或化学变化）热磁效应4.4利用激光写入和读出第三章3.14设总线的时钟频率为8MHz，一个总线周期等于一个时钟周期。如果一个总线周期中并行传送16位数据，试问总线带宽是多少？解：一秒有8M个时钟周期，即总线周期。总线带宽：8M*16b=128Mbps=16MBps3.15在一个32位的总线系统中，总线的时钟频率为66MHz，假设总线最短传输周期为4个时钟周期，试计算总线的最大数据传输率。若想提高数据传输率，可以采取什么措施？解：一秒有66M个时钟周期又已知最短总线传输周期为4个时钟周期则一秒最多有66M/4个总线周期。总线宽度为32位，4个字节。最大数据传输率：（66M/4）*4B=66MBps=528Mbps若想提高数据传输率，可以：增加总线宽度、提高时钟频率3.16异步串行传送系统中，字符格式为：1个起始位、8个数据位、1个校验位、2个终值位。若要求每秒传送120个字符，试求传送的波特率和比特率。解：传送一个字符需要1+8+1+2=12位。又已知一秒传送120个字符，波特率：120*12=1440bps比特率：120*8=960bps第四章4.15设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用MREQ(低电平有效)作为访存控制信号，R/W作读/写命令信号(高电平为读，低电平为写)。现有存储芯片：ROM（2K*8位，4K*4位，8K*8位），RAM（1K*4位，2K*8位，4K*8位）及74138译码器和其他门电路（门电路自定义）。试从上述规格中选用合适的芯片，画出CPU和存储芯片的连接图。要求如下：(1)最小4K地址为系统程序区，4096~16383地址范围为用户程序区。(2)指出选用的存储芯片类型及数量。(3)详细画出片选逻辑。解：（1）地址空间分配图：用户程序区RAM12K*8系统程序区ROM4K*8选片：ROM：选择4K×4位芯片2片，位并联???????RAM：选择4K×8位芯片3片，字串联(RAM1地址范围为:1000H-1FFFH,RAM2地址范围为2000H-2FFFH,RAM3地址范围为:3000H-3FFFH