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ICS31.260
CCSL50
ZOIA
中关村光电产业协会团体标准
T/XXXXXXX—XXXX
MEMS硅谐振式压力敏感元件设计要求
DesignrequirementsforMEMSsiliconresonantpressure-sensitivecomponents
（征求意见稿）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
中关村光电产业协会 发布
T/XXXXXXX—XXXX
目次
前言II
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4一般要求1
5详细要求1
I
T/XXXXXXX—XXXX
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件由西安交通大学提出。
本文件由中关村光电产业协会归口。
本文件起草单位：西安交通大学。
本文件主要起草人：方续东，赵永超，卓文强。
II
T/XXXXXXX—XXXX
MEMS硅谐振式压力敏感元件设计要求
1范围
本标准规定了MEMS硅谐振式压力敏感元件设计的术语和定义、一般要求、详细要求。
本标准适用于MEMS硅谐振式压力敏感元件结构的设计。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T26111微机电系统（MEMS）技术术语
JB/T13359-2018硅谐振式压力传感器
3术语和定义
GB/T26111及JB/T13359-2018确立的以及下列术语和定义适用于本标准。
3.1
敏感结构sensingstructure
用于敏感外界压力并将压力信号转换为电信号的芯片单元。
3.2
锚点anchor
悬空结构与基底连接的点。
4一般要求
4.1软件和硬件要求
设计平台应具备基本的软件和硬件配置，能够进行MEMS硅谐振式压力敏感元件结构的静力学、热
学、电学和耦合场特性分析。
4.2设计依据
设计时应考虑MEMS硅谐振式压力敏感元件的结构形式、材料、结构参数、工艺等，MEMS硅谐振
式压力敏感元件结构设计应满足MEMS硅谐振式压力敏感元件性能指标和环境适应性指标要求。MEMS
硅谐振式压力敏感元件性能指标主要包括量程、非线性、灵敏度、稳定性、重复性、温度漂移，环境适
应性指标主要包括振动、机械冲击、温度适应性等。各项性能指标与结构设计参数的关系见表1：
表1MEMS硅谐振式压力敏感元件性能指标和结构设计参数的对应关系
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