《大深宽比后硅通孔技术要求》.pdfVIP

ICS31.260

CCSL50

ZOIA

中关村光电产业协会团体标准

T/XXXXXXX—XXXX

大深宽比后硅通孔技术要求

点击此处添加标准名称的英文译名

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中关村光电产业而协会  发布

T/XXXXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

I

T/XXXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由MEMS传感器芯片先进封装测试平台提出。

本文件由中关村光电产业协会归口。

本文件起草单位：苏州晶方半导体科技股份有限公司、中机生产力促进中心有限公司

本文件主要起草人：杨剑宏、谢国梁、施秋楠、宗洵、孔祥乾、

II

T/XXXXXXX—XXXX

大深宽比后硅通孔技术要求

1范围

本标准提供了大深宽比后硅通孔（TSV-Last）的技术要求指导，给出了MEMS传感器晶圆级封装过

程中大深宽比斜孔TSV-Last的总体要求，对大深宽比斜孔TSV-Last的工艺能力因素作了详细说明，为

MEMS传感器晶圆级封装中大深宽比斜孔TSV-Last工艺需求提供了指引方向

本标准适用于MEMS传感器晶圆级封装中大深宽比斜孔TSV-Last工艺，以及适用于MEMS传感器及

其他芯片的大深宽比斜孔TSV-Last封装工艺需求。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1.1MEMS

微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystems)的简称，是一种将微电子和微机械技术相结合的电子

器件

3.1.2MEMS晶圆级封装

MEMS晶圆级封装是将MEMS裸芯片以整片晶圆进行再加工及组合构成满足工作环境（可靠性）的

制造技术。

3.1.3TSV

硅通孔(ThroughSiliconVia)的简称，是一种穿过硅芯片进行垂直电互连的2.5D/3D封装工艺。

3.1.4TSV-Last

后硅通孔(ThroughSiliconVia-Last)工艺的简称，将TSV放在封装生产阶段,通常被称作Via-last,该方

案可以不改变现有集成电路流程和设计。

4大深宽比后硅通孔技术要求

下列条目适用于本文件。

4.1.1大深宽比后硅通孔技术背景