集成电路版图设计5.pdfVIP

第一章集成电路工艺基础及版图设计

◼1.1引言

◼1.2集成电路制造工艺简介

◼1.3版图设计技术

◼1.4电参数设计规则

◼集成电路的制造需要非常复杂的技术，它主要

由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可

以不去深入研究，但是有必要了解芯片设计中的工艺

基础知识，才能根据工艺技术的特点优化电路设计方

案。对于电路和系统设计者来说，更多关注的是工艺

制造的能力，而不是工艺的具体实施过程。

◼由于SOC的出现，给IC设计者提出了更高的要

求，也面临着新的挑战：设计者不仅要懂系统、电路，

也要懂工艺、制造。

◼集成电路设计与制造的主要流程框架

系

统

需

求

设计掩膜版

芯片制芯片检测封装测试

造过程

单晶、外

延材料

集成电路的设计过程：

功能要求

设计创意

行为设计（VHDL）

+

仿真验证否

行为仿真

是

综合、优化——网表

否

时序仿真

是

布局布线——版图

后仿真

是否

Singoff

—设计业—集成电路芯片设计过程框架From吉利久教授

芯片制造过程

—制造业—

硅片

由氧化、淀积、离子注入或

蒸发形成新的薄膜或膜层

曝光

用掩膜版

重复

20-30次刻蚀

测试和封装

集成电路芯片的显微照片

1.1引言

1.IC制造基本原理

1、电阻率：

从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下：

金属：ρ0.001Ω·cm

半导体：ρ=0.001Ω·cm~10E9Ω·cm

绝缘体：ρ10E9Ω·cm

制造集成电路所用的材料主要包括硅（Si）、锗（Ge）

等半导体，以及砷化镓（GaAs）、铝镓砷（AlGaAs）