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金属氮化气相外延法制备AlN单晶薄膜及其发光性能研究.pdf

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    摘要

    AlN是超宽禁带半导体材料的典型代表，其禁带宽度高达6.2eV，同时AlN还有

    着高击穿场强、高热导率、高熔点、高发光效率和低膨胀系数等优异的物理性能。因

    此AlN材料可在高温、高压下存在，可以用于制备光电器件、电力电子器件和高功率

    器件，在日常生活和国防领域都有着极高的应用场景。本论文使用金属氮化气相外延

    法在不同工艺参数和不同衬底下制备AlN单晶薄膜，使用氮气与铝蒸汽直接反应制备

    AlN薄膜。使用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜

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