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基于TMDs材料的PMOS器件与CMOS反相器制备关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子系统的核心，其性能的提升对于推动整个信息产业的进步至关重要。在集成电路中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是构成各种逻辑电路和存储单元的基本器件，而PMOS器件作为其中的重要组成部分，与NMOS器件共同构成了互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的基础。CMOS反相器则是CMOS逻辑电路中最基本的单元，它能够实现信号的逻辑反相功能，是构建复杂数字电路的基石。

传统的硅基CMOS技术在过去几十年中取得了巨大的成功，推动