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电子技术基础—模拟电子技术

第一章 基本半导体分立器件1.1半导体的基本知识与PN结1.2半导体二极管1.3特殊二极管1.4半导体三极管1.5场效应晶体管

BDAC半导体的基本特性杂质半导体本征半导体PN结的形成与单向导电性1.1半导体的基本知识与PN结

半导体：电阻率在10-3~109Ω.cm，导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅(Si)和锗(Ge)等半导体材料；导体：电阻率小于10-4Ω.cm，很容易导电，称为导体.如铜、铝、银等金属材料；绝缘体：电阻率大于1010Ω.cm，很难导电，称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料；1.1.1半导体的基本特性

半导体材料制作电子器件的原因?不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是在于半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。

热敏性：是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加，例如纯净锗从20℃升高到30℃时，电阻率下降为原来的1/2；12掺杂性：是半导体导能力，因掺入适量的杂质而发生很大的变化，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼杂质，电阻率下降到原来的几万分之一，利用这一特性，可以制造出不同性能不同用途的半导体器件。3光敏性：半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性；例如硫化镉薄膜在暗处：电阻为几十MΩ。光照：电阻下降为几十KΩ半导体材料制作电子器件的原因?

硅(锗)的原子结构+4+14284+3228184硅锗硅(锗)的原子结构简化模型1.1.2本征半导体SiGe

1.1.2本征半导体1、本征半导体的原子结构把非常纯净的原子结构排列非常整齐的半导体称为本征半导体。

1.1.2本征半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键A．硅原子电子数为14，最外层电子为四个，是四价元素B、硅原子结合方式是共价键结合：(i)每个价电子都要受到相邻两个原子核的束缚;(ii)半导体的价电子既不象导体的价电子那样容易挣脱成为自由电子，也不象绝缘体中被束缚，所以其导电能力介于导体与绝缘体之间1、本征半导体的原子结构——共价键结合，以硅原子为例

2、本征半导体的激发与复合+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键空穴自由电子空穴A、本征激发—电子、空穴对的产生B、电子与空穴的复合D、最后达到动态的平衡C、空穴是可以移动的，其实是共价键的电子依次填补空穴，形成空穴的移动

3、自由电子的运动与空穴的运动IIPIN空穴电流电子电流外电路电流图1-5本征半导体中载流子的导电方式半导体中两种载流子：带正电荷的空穴带负电荷的自由电子外电场它们在外电场的作用下，会出现定向运动本征半导体

3、自由电子的运动与空穴的运动1、共价键中的电子依次填补空穴，形成空穴的运动；2、半导体中两种载流子：(1)一是带负电荷的自由电子；二是带正电荷的空穴，它们在外电场的作用下，会出现定向运动(2)在外电场作用下形成电子流IN和空穴流IP(3)在外电路中总电流I=IN+IP

1.1.2本征半导体本征激发产生的载流子数量仍然很少，本征半导体导电能力很差，不能直接用于制造晶体管，只有在本征半导体中掺入适量的杂质，极大提高其导电性能，成为杂质半导体，才能用于制造各种半导体器件

N型半导体N-typeSemiconductor2014P型半导体P-typeSemiconductor20151.1.3杂质半导体

1、N型半导体+4+4+4+5+4+4磷原子空穴是少子电子是多子硅原子多数载流子电子少数载流子空穴N型半导体简化模型A、在四价的本征硅中掺入微量的五价磷。B、磷原子失去一个电子自身成不能移动的带正电荷的离子，称为施主杂质。掺入一个磷原子就提供一个自由电子,所以电子是多子.C、N型半导体中,电子是多子,空穴是少子I=IP+IN≈IND、整块的半导体仍为中性

2、P型半导体+4+4+4+3+4+4硅原子硼原子A、在四价的本征硅中掺入微量的3价硼B、硼原子在共价键留下一个空位，相邻硅原子中的价电子容易移过来填补个空位。硼原子接受一个电子，成为带负电的离子，称受主杂质；在相邻硅共价键中产生一个带正电的空穴C、P型半导体中：空穴是多子；电子是少子I=IP+IN≈IPD、整块的半导体仍为中性空穴是多子电子是少子P型半导体简化模型多数载流子少数载流子

1.1.4PN结的形成与单向导电性P型区N型区内建电场PN结(1)多子的扩散运动产生空间电荷区建立内电场(2)随着内电场由弱到强得建立,少子漂移从无到有,逐渐加强,而扩散运动逐渐减弱,形成平衡的PN结。1、PN结(PNJunction)的形成多子的扩散多子的扩散

1.1.4PN结的形成与单向导电性P型区N型区内建电场PN结1、PN结(PNJuncti