功率半导体器件的触发驱动电路.PPTVIP

*功率半導體器件的觸發驅動電路*§5-1對晶閘管觸發電路的基本要求1??形式脈衝2??功率和脈寬UGT，IGT,3??強觸發4同步及移相範圍5??隔離輸出脈衝方式及抗干擾能力 脈衝變壓器*§5-2單結晶體管移相觸發電路一、結構與特性1.結構基區電阻Rbb=Rb1+Rb2Rb1隨Ie而變化*§5-2單結晶體管移相觸發電路2.實驗電路(1)e極開路η分壓比，0.3~0.9(2)e，b1間加Ee調節Ee，Re，可以改變Ue大小*§5-2單結晶體管移相觸發電路∶VD反偏、截止∶VD正偏、但UD，仍截止∶VD正偏、導通?實際上較大，PN結正偏↑*§5-2單結晶體管移相觸發電路峰點P:IP管子導通最小電流穀點V:UV維持導通最小發射極電壓選η，Iv較大，Uv較小的單結晶體管，使輸出脈衝幅值大，調節電壓範圍大。*§5-2單結晶體管移相觸發電路二、振盪電路 利用負阻特性及RC充放電電路*§5-2單結晶體管移相觸發電路*§5-2單結晶體管移相觸發電路三、同步振盪電路*§5-2單結晶體管移相觸發電路四、參數選擇1．Re的確定保證在截止區和負阻區來回變化工作負載線：E=IeRe+Ue①不能導通：欲IIp，應③導通，但無法回截止區，欲IIv,應振盪條件，*§5-2單結晶體管移相觸發電路2?R1R1↑→UR1↑,壓降可能誤通晶閘管3?R2UD負溫度係數，Rbb正溫度係數UP=UD+ηUbb=UD+(Rb1/Rb2)Ubb溫度t↑→UP↓加R2(零溫度係數)t↑→Rbb↑→UR2↓→Rbb↑(補償UD↓)*§5-2單結晶體管移相觸發電路4???C的選擇放電∶C過小→脈寬窄，不能觸通元件C過大→與Re選擇矛盾，,f一定時，C↑→Re↓C取0.1-1μF習題∶P．163習題2、6*§5-3鋸齒波同步移相觸發電路組成∶同步檢測鋸齒波形成移相控制脈衝形成和放大雙脈衝形成強觸發*§5-3鋸齒波同步移相觸發電路一、同步形成和鋸齒波形成環節同步檢測鋸齒波形成*§5-3鋸齒波同步移相觸發電路1、同步檢測uTB由“+”變為“-”VT2截止，C2充電，據齒波形成(寬度為VT2的截止時間)負半周下降段∶VD1通，C1充電，上(+)下(-)，O接地，R負回饋，Q也為負電位，VT2反偏截止，C1不能經VD-1放電。負半周下降段∶+15V經R1給C1充電，uQ為C1反向充電波形，上升速度比R點同步電壓慢，故VD1截止，Q點電位1.4V時，VT2通，uQ鉗制在1.4VuTB相位與主電路相位一致，故可實現同步。鋸齒波寬度=VT2截止時間(由R1C1決定)*§5-3鋸齒波同步移相觸發電路2、鋸齒波形成VWY、RP1、R3、VT1(組成恒流源電路)、VT2、VT3、C2等組成。VT2截止時∶恒流IC1對C2充電，uC線性增長uC=ub3為鋸齒波上升段，調RP1→IC1變化→鋸齒波斜率變化VT3的ue3與ub3差一PN結電壓VT2飽和導通∶R4較小，C2通過R4、VT2很快放電，形成鋸齒波下降段*§5-3鋸齒波同步移相觸發電路二、移相控制環節利用疊加原理，考慮三個電壓作用∶uT鋸齒波電壓