功率GaN HEMT的表面电场优化研究.pdfVIP

摘要

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新能源汽车、大模型和智能电网等前沿科技的快速发展，使得高性能功率

器件的需求日益增长。氮化镓高电子迁移率晶体管（GalliumNitrideHighElectron

MobilityTransistor,GaNHEMT）由于具有高开关速率、低泄漏电流和高的耐压等

级等优异特性而备受关注。但如今GaNHEMT仍面临动态电阻退化、热载流子注

入和缓冲层泄漏等问题，阻碍其进一步发展。这些问题主要是由栅极附近电场集

中造成的，因此优化器件的表面电场分布对提升器件的电学性能以及可靠性具有

重要意义。基于“功率GaNHEMT的表面电场优化研究”课题，本文的主要研究

内容如下：

为了提升传统场板技术优化器件表面电场的效果，本文提出弧形末端场板结

构，该结构能够很好地适用于GaNHEMT。具有较大曲率半径的弧形能够很好地

改善传统场板末端的曲率效应，使器件具有更优的表面电场分布，从而提升器件

的电学特性。为了验证上述理论分析的正确性，本文首先通过SENTAURUS工具

对两种传统结构器件和本文提出结构器件的击穿特性进行专门地优化，然后对比

最优条件下三种结构器件的静态及动态特性。最后研究结果表明，相比于传统栅

极场板和传统源极场板的器件，在导通电阻相同的条件下，提出结构器件的击穿

电压分别提升了113%和99%；当三种结构器件具有相同的击穿电压时，其导通电

阻分别降低了20%和18%；在200V条件下，其栅漏电容分别降低了69.99%和

26.25%；在一个开关周期内，其总的能量损耗分别降低了71.47%和43.41%。

为了进一步优化器件的静态性能，在上述第一种提出结构基础之上，添加若

干个弧形浮空场板，构成本文的第二种提出结构。对该结构静态特性的研究结果

表明，相比本文的第一种提出结构，该结构器件的表面电场分布更加均匀，击穿

23%2.5mΩ∙cm22.2V

电压提升了，同时比导通电阻（）和阈值电压（）保持不变。

最后，本文设计出两种提出结构的工艺流程并分析其可行性，同时探究了工

艺误差对于器件性能的影响，研究结果表明本文提出的两种新型结构工艺可行且

具有良好的抗工艺误差能力。

关键词：氮化镓，场板，高电子迁移率晶体管，击穿电压

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ABSTRACT

ABSTRACT

Therapiddevelopmentofcutting-edgetechnologiessuchasnewenergyvehicles,

AIlargelanguagemodels,andsmartgridshasledtoanincreasingdemandfor

high-performancepowerdevices.TheGalliumNitrideHighElectronMobility

Transistor(GaNHEMT)hasgarneredsignificantattentionduetoitsoutstanding

characteristics,includinghighswitchingspeed,lowleakagecurrent,andhigh

breakdownvoltage.However,GaNHEMTstillfacessomeproblems,suchasdynamic

resistancedegradation,hotcarrierinjection,andbufferlayerleakage,whichhinderi