高能电子辐照下含氮化硼沉积亚胺基复合薄膜介电性能研究.pdf

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哈尔滨理工大学能源动力硕士学位论文

高能电子辐照下含氮化硼沉积层聚酰亚胺基复合薄膜介

电性能研究

摘要

在太空中,航天设备需承受极端的温度变化以及多种高能粒子的辐射影

响,特别是高能电子的辐照,这对于航天设备常用的基体材料聚酰亚胺(PI)

会造成显著的性能退化和寿命缩减。为解决高能电子辐照导致的介质薄膜损

伤,以及由此引发的介电性能与绝缘性能下降、可靠性与使用寿命降低等问

题,本文研究PI在不同注量高能电子辐照后的微观形貌与介电和力学性能变

化,探究其辐照损伤机制。在此基础上,为提升PI在高能电子辐射环境中的

绝缘防护性能,采用等离子体化学气相沉积将高势垒的氮化硼(BN)无机增

强材料沉积在PI薄膜两侧形成多层复合结构(PI-BN),研究改性后的PI-BN

复合薄膜在不同注量高能电子辐照后的微观形貌、介电和力学性能变化,并

揭示BN层对高能电子辐射的防护机理。现将本论文的主要研究内容概括如

下:

(1)随着辐照注量的增加,PI薄膜的介电常数逐渐降低,在辐照注量为

1.0×1016cm-2时,表面出现大量缺陷,与纯PI相比表面粗糙度增加约四倍;

同时,PI薄膜的击穿场强(E)值从356kV/mm降至301kV/mm,下降了

b

15.5%;辐照后,在120℃高温环境下,PI薄膜的E值从343kV/mm降至252

b

kV/mm,绝缘性能急剧下降;由于辐照后PI薄膜表面缺陷产生了大量裂纹,

导致PI薄膜的拉伸强度和断裂伸长率分别下降了35.4%和42.4%。

(2)为应对高能粒子冲击下PI薄膜表面破损与绝缘性能下降的问题,

本文采用高势垒BN无机材料对其进行表面沉积防护,并通过调整BN层厚

度进一步优化复合薄膜综合性能。实验结果表明,均匀致密的BN层提高复

合薄膜整体载流子注入势垒高度,使沉积厚度300nm的PI-BN-300复合薄膜

在常温下E值高达450kV/mm,较纯PI提升26.4%。在BN出色的力学特性

b

和其与PI基底的相互作用下,解决界面缺陷和应力集中现象,力学性能得到

提升,PI-BN-300复合薄膜抗拉强度提升61.8%,断裂伸长率提升117.7%。

(3)经不同注量高能电子辐照后,实验结果表明,PI-BN复合薄膜表面

I

哈尔滨理工大学能源动力硕士学位论文

仅出现部分脱落,无明显缺陷。PI-BN-300复合薄膜的介电常数为4.06,高于

PI薄膜,且辐照后复合薄膜的E值为434kV/mm,与辐照前相比仅下降3.6%,

b

仍保持良好绝缘性能。在120℃高温环境下,辐照后PI-BN-300的E值为382

b

kV/mm,为相同条件下纯PI薄膜的1.52倍。力学测试结果表明,辐照后PI-

BN-300复合薄膜的抗拉强度和断裂伸长率分别为126.76MPa和24.45%,为

相同条件下纯PI薄膜的2.08倍和1.12倍。

本文制备的聚酰亚胺基氮化硼复合薄膜,在复合薄膜表面形成阻挡界面

层,显著提升PI-BN复合薄膜的载流子注入势垒,同时,界面层吸收或散射

进入的电子,有效阻挡高能电子的穿透,减弱其对薄膜的直接辐照损伤,为

太空辐射环境中的绝缘设备提供新型有效的设计策略。

关键词聚酰亚胺;氮化硼;高能电子辐照;击穿强度;微观结构

II

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