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自考专业(计算机应用)题库检测试题打印

考试时间：90分钟；命题人：教研组

考生注意：

1、本卷分第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟

2、答卷前，考生务必用0.5毫米黑色签字笔将自己的姓名、班级填写在试卷规定位置上

3、答案必须写在试卷各个题目指定区域内相应的位置，如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新的答案；不准使用涂改液、胶带纸、修正带，不按以上要求作答的答案无效。

第I卷（选择题55分）

一、单选题（10小题，每小题5分，共计50分）

1、（单选题）计算机机房的构造、装修必须严格遵守有关消防规定，如建筑耐火等级不应低于()。

A.三级和四级

B.四级和五级

C.五级和六级

D.一级和二级

正确答案：D

2、（单选题）下列作业调度算法中既考虑作业进入输入井的先后，又考虑作业计算时间的是（）

A.先来先服务算法

B.计算时间短的作业优先算法

C.响应比高者优先算法

D.均衡调度算法

正确答案：C

3、（单选题）信息只用一条传输线，且采用脉冲传输的方式称为______。

A.串行传输

B.并行传输

C.并串行传输

D.分时传输

正确答案：A

4、（单选题）有多个不同的用户程序需要在一个单道程序计算机系统上完成运行，任何一个用户程序一旦开始运行就必须等它运行结束后，下一个用户程序才能开始运行。因此，为了缩短访问磁盘所花费的时间（）

A.可以采取移臂调度措施

B.可以采取旋转调度措施

C.可以采取信息优化分布措施

D.不需要采用任何磁盘调度措施

正确答案：D

5、（单选题）按指令流和数据流的多倍性，多处理机属于的系统是（）

A.SISD

B.SIMD

C.MISD

D.MIMD

正确答案：D

6、（单选题）过低的室温会使()。

A.元件失效率急剧增加，使寿命下降

B.使磁介质发脆，容易断裂

C.容易产生静电

D.使微电子设备内总焊点和插座的接触电阻增大

正确答案：B

7、（单选题）多处理机属于（）

A.SISD系统

B.SIMD系统

C.MISD系统

D.MIMD系统

正确答案：D

8、（单选题）若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：()。

A.集电极电流减小

B.集电极与发射极电压VCE上升

C.集电极电流增大

正确答案：A

9、（单选题）当标记的TYPE属性的值为()时，代表一个单选按钮。

A.TEXT

B.PASSWORD

C.RADIO

D.CHECKBOX

正确答案：C

10、（单选题）某放大器空载时，输出电压为2V，接上负载电阻RL=1K时，测得输出电压为0.5V，则该放大器的输出电阻为()

A.1KΩ

B.2KΩ

C.3KΩ

D.4KΩ

正确答案：C

二、多选题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（多选题）在重组企业电子商务流程的过程中，企业组织结构变革呈现的趋势包括（）

A.层次化

B.柔性化

C.网络化

D.团队化

E.专业化

正确答案：BCD

第Ⅱ卷（非选择题45分）

三、填空题（5小题，每小题4分，共计20分）

1、（填空题）假设类X的对象x是类Y的成员对象，则“YObj”语句执行时，先调用类___的构造函数。

正确答案：X

2、（填空题）计算机的发展经历了____个时代，微型机属于第____代计算机。

正确答案：

4、四

3、（填空题）Cache行和主存块之间的映射方式有_____、_____和_____三种。

正确答案：直接映射、全相联映射、组相联映射

4、（填空题）管程中的________在管程外部是不可见的，外部只能通过调用管程中所说明的来间接地对其进行访问。

正确答案：共享变量、外部过程(函数)

5、（填空题）CMMl模型提供了两种过程改善路径，一是称为能力等级的过程改善路径，二是称为_________的过程改善路径。

正确答案：成熟度等级

四、判断题（1小题，每小题5分，共计5分）

1、（判断题）任何循环群必定是阿贝尔群，反之亦真。

正确答案：

错误

五、计算题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（计算题）求命题公式p∧q∨r的主合取范式与主析取范式。

正确答案：

六、解答题（1小题，每小题10分，共计10分）

1、（问答题）某次会议有20人参加，其中每人至少有10个朋友，这20人拟围一桌入席，用图论知识说明是否可能每人邻做的都是朋友?(理由)

正确答案：解：可能。将人用结点表示，当两人是朋友时相应结点间连一条边，则得一个无向图,，20人围一桌，使每人邻做都是朋友，即要找一个过每个点一次且仅一次得回路。由题已知，由判定定理，G中存在一条汉密尔顿回路。即所谈